时间：2025/9/1 18:15:33
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HY5MS5B6BLFP-H 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款高性能、低功耗的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于移动型LPDDR4 SDRAM类别。这款芯片广泛用于需要高带宽和低功耗特性的便携式设备，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。
容量：8Gb
架构：x16
电压：1.1V（核心电压）和1.8V（I/O电压）
时钟频率：1600MHz
数据速率：3200Mbps
封装类型：FBGA（144-ball）
工作温度范围：-40°C至85°C
数据宽度：16位
封装尺寸：9mm x 12mm
HY5MS5B6BLFP-H 芯片采用先进的DRAM技术，具有高性能和低功耗的双重优势。其工作电压分为核心电压1.1V和I/O电压1.8V，支持节能模式，以延长移动设备的电池寿命。
该芯片支持1600MHz的时钟频率，并提供高达3200Mbps的数据速率，能够满足高带宽需求的应用场景。封装形式为144-ball FBGA，体积小且散热性能良好，适用于紧凑型设备的设计。
此外，HY5MS5B6BLFP-H 具有较宽的工作温度范围（-40°C至85°C），能够在各种环境条件下稳定运行，提高了设备的可靠性和适应性。
HY5MS5B6BLFP-H 主要用于需要高性能和低功耗存储的移动设备，如高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备和嵌入式系统。由于其高速数据传输能力和节能特性，该芯片也适用于需要实时数据处理的应用场景，如图像处理、视频流传输和图形加速等任务。
MT53B128M16A2B4-6A, K3RB70BMZD-DJCL
