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HY5MS5B6BLFP-H 发布时间 时间:2025/9/1 18:15:33 查看 阅读:8

HY5MS5B6BLFP-H 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款高性能、低功耗的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于移动型LPDDR4 SDRAM类别。这款芯片广泛用于需要高带宽和低功耗特性的便携式设备,如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。

参数

容量:8Gb
  架构:x16
  电压:1.1V(核心电压)和1.8V(I/O电压)
  时钟频率:1600MHz
  数据速率:3200Mbps
  封装类型:FBGA(144-ball)
  工作温度范围:-40°C至85°C
  数据宽度:16位
  封装尺寸:9mm x 12mm

特性

HY5MS5B6BLFP-H 芯片采用先进的DRAM技术,具有高性能和低功耗的双重优势。其工作电压分为核心电压1.1V和I/O电压1.8V,支持节能模式,以延长移动设备的电池寿命。
  该芯片支持1600MHz的时钟频率,并提供高达3200Mbps的数据速率,能够满足高带宽需求的应用场景。封装形式为144-ball FBGA,体积小且散热性能良好,适用于紧凑型设备的设计。
  此外,HY5MS5B6BLFP-H 具有较宽的工作温度范围(-40°C至85°C),能够在各种环境条件下稳定运行,提高了设备的可靠性和适应性。

应用

HY5MS5B6BLFP-H 主要用于需要高性能和低功耗存储的移动设备,如高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备和嵌入式系统。由于其高速数据传输能力和节能特性,该芯片也适用于需要实时数据处理的应用场景,如图像处理、视频流传输和图形加速等任务。

替代型号

MT53B128M16A2B4-6A, K3RB70BMZD-DJCL

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