HY5DV651622TG-G6 时间：2025/9/2 1:40:22 阅读：22

HY5DV651622TG-G6是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别。该型号属于移动SDRAM（Mobile SDRAM）系列，专为低功耗应用设计，适用于移动设备、便携式电子产品、嵌入式系统等对功耗敏感的场景。HY5DV651622TG-G6的存储容量为64MB（兆字节），组织结构为16位×4个Bank，采用TSOP（薄型小外形封装）封装形式，适合空间受限的设计。

参数

容量：64MB
　　组织结构：x16，4个Bank
　　工作电压：1.7V - 3.3V（支持多种电压等级）
　　数据速率：166MHz
　　封装类型：TSOP
　　封装尺寸：54-ball FBGA 或 50-pin TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：CMOS
　　刷新周期：64ms

特性

HY5DV651622TG-G6具有低功耗设计特点，支持多种省电模式，包括自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh），适用于移动设备和嵌入式系统。其多电压支持（1.7V至3.3V）使其在不同平台中具有良好的兼容性。该芯片在时钟上升沿进行数据采样，确保高速同步操作的稳定性。此外，其64ms刷新周期能够有效保持数据完整性，同时降低功耗。
　　这款DRAM芯片具备较高的集成度，适合在需要中等容量内存的设备中使用。其TSOP或FBGA封装形式提供了良好的热管理和空间效率，适用于紧凑型电子产品设计。工业级温度范围支持其在严苛环境下的稳定运行。