HY5DV651622TG-G6是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别。该型号属于移动SDRAM(Mobile SDRAM)系列,专为低功耗应用设计,适用于移动设备、便携式电子产品、嵌入式系统等对功耗敏感的场景。HY5DV651622TG-G6的存储容量为64MB(兆字节),组织结构为16位×4个Bank,采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,适合空间受限的设计。
容量:64MB
组织结构:x16,4个Bank
工作电压:1.7V - 3.3V(支持多种电压等级)
数据速率:166MHz
封装类型:TSOP
封装尺寸:54-ball FBGA 或 50-pin TSOP
温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
接口类型:CMOS
刷新周期:64ms
HY5DV651622TG-G6具有低功耗设计特点,支持多种省电模式,包括自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh),适用于移动设备和嵌入式系统。其多电压支持(1.7V至3.3V)使其在不同平台中具有良好的兼容性。该芯片在时钟上升沿进行数据采样,确保高速同步操作的稳定性。此外,其64ms刷新周期能够有效保持数据完整性,同时降低功耗。
这款DRAM芯片具备较高的集成度,适合在需要中等容量内存的设备中使用。其TSOP或FBGA封装形式提供了良好的热管理和空间效率,适用于紧凑型电子产品设计。工业级温度范围支持其在严苛环境下的稳定运行。
HY5DV651622TG-G6广泛应用于便携式电子设备、手持终端、工业控制设备、通信模块、智能卡终端、POS机、医疗设备和嵌入式系统等场景。其低功耗特性和多种省电模式使其特别适用于电池供电设备。在消费类电子产品中,如智能家电、多媒体播放器、导航设备等,该芯片也常用于提供临时数据存储和缓存功能。
AS4C16M16A2B4-6A, K4S561632K-F8B0, MT48LC16M16A2B4-6A