类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：900V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：9A
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：1.15Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：27nC（典型）
　　输入电容（Ciss）：1100pF（典型）
　　封装类型：DFN8×8

FCD9N90NTM采用先进的沟槽MOSFET技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件的900V漏源电压能力使其适用于高电压应用，如工业电源、光伏逆变器和高压DC-DC转换器。此外，FCD9N90NTM具有较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
　　该MOSFET采用DFN8×8封装，具有优良的热管理性能，能够有效散热并保持稳定的工作温度。这种封装形式不仅提供了良好的散热能力，还具有较小的封装尺寸，适合高密度PCB布局设计。FCD9N90NTM还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在恶劣工作条件下的可靠性和稳定性。
　　此外，该器件的栅极氧化层设计可承受高达±30V的栅源电压，提升了在复杂电路环境中的抗干扰能力。FCD9N90NTM符合RoHS标准，适用于环保和高可靠性要求的应用场合。

FCD9N90NTM广泛应用于多种高电压和高效率要求的电力电子系统中。例如，在工业电源、服务器电源、通信电源、光伏逆变器和高压DC-DC转换器中，该器件可用于主开关或同步整流器，以实现高效能的能量转换。此外，它也适用于马达驱动电路、电池管理系统和负载开关等应用。由于其良好的热性能和紧凑封装，FCD9N90NTM在空间受限的便携式设备和高功率密度电源系统中尤为适用。

FQA9N90C、FCH9N90NTM、FDMS9N90