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HY5DU5162ETA-E3C 发布时间 时间:2025/9/1 21:33:10 查看 阅读:4

HY5DU5162ETA-E3C 是一颗由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、低功耗的移动DRAM产品系列。该芯片采用CMOS工艺制造,适用于便携式电子设备和嵌入式系统。其容量为256MB,工作电压为1.8V,支持低功耗模式,以延长电池寿命。HY5DU5162ETA-E3C 通常用于智能手机、平板电脑、便携式游戏机以及其他对功耗和性能有较高要求的设备。

参数

容量:256MB
  电压:1.8V
  封装类型:TSOP
  数据宽度:16位
  时钟频率:166MHz
  工作温度范围:-40°C至85°C
  封装尺寸:54引脚

特性

HY5DU5162ETA-E3C 的主要特性包括低功耗设计、高性能数据传输以及广泛的工作温度范围。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性,从而降低功耗。此外,其166MHz的时钟频率使得数据传输速率较高,适用于需要快速响应的应用场景。
  该芯片的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),适合嵌入式系统的空间限制。其16位数据宽度能够提供较高的带宽,满足多任务处理的需求。此外,HY5DU5162ETA-E3C 还支持多种低功耗模式,包括深度掉电模式和预充电掉电模式,以适应不同的应用场景和电源管理需求。
  在稳定性方面,HY5DU5162ETA-E3C 设计有内部纠错机制和冗余电路,以提高数据的可靠性和存储稳定性。该芯片在高温和低温环境下均能保持稳定运行,适用于工业级和消费级设备。

应用

HY5DU5162ETA-E3C 广泛应用于移动设备和嵌入式系统中,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式媒体播放器以及工业控制系统。由于其低功耗和高性能的特点,该芯片特别适合需要长时间运行且对电池寿命有严格要求的设备。
  在智能手机和平板电脑中,HY5DU5162ETA-E3C 可作为主存储器,用于运行操作系统、应用程序和缓存数据,提供流畅的用户体验。在工业控制系统中,该芯片可用于存储实时数据和程序代码,确保系统的稳定性和响应速度。
  此外,HY5DU5162ETA-E3C 也适用于车载电子系统、医疗设备和智能家电等对存储性能和可靠性有较高要求的领域。

替代型号

H5DU5162ETM-E3C, MT48LC16M2A2B4-6A, K4S561632E-UC

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