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HY5DU283222BFP-2 发布时间 时间:2025/9/1 13:08:54 查看 阅读:6

HY5DU283222BFP-2 是由现代电子(Hynix)生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于EDO(扩展数据输出)DRAM类型。该芯片具有高速存取能力和较大的存储容量,适用于需要高性能存储系统的应用场景。

参数

容量:256MB
  组织结构:32M x 8
  封装类型:TSOP
  电源电压:3.3V
  访问时间:2.5ns
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

HY5DU283222BFP-2 采用高速EDO技术,显著提高了数据的读取速度,减少了存储器访问延迟。其32M x 8的组织结构使其在存储密度和性能之间取得了良好的平衡。
  该芯片的TSOP封装设计有助于减小PCB板上的空间占用,并提供良好的散热性能,适用于高密度电路板设计。此外,3.3V的电源供电设计使其具有较低的功耗,同时兼容现代逻辑系统的电压标准。
  该DRAM芯片在数据保持方面采用标准的刷新机制,支持自动刷新和自刷新模式,确保了数据的可靠性和稳定性。其工业级的工作温度范围使其适用于各种恶劣环境下的应用,如工业控制、通信设备和嵌入式系统等。

应用

HY5DU283222BFP-2 常用于需要高速存储器的电子设备中,如嵌入式系统、网络设备、图像处理模块、工业自动化设备以及各种消费类电子产品。由于其高可靠性和高性能,该芯片也广泛应用于通信基础设施和测试测量设备中。

替代型号

HY5DU283222BFP-3, HY5DU283222ALP-2

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