类型：DDR2 SDRAM
　　容量：256 Meg x 16（即 512MB）
　　工作电压：2.3V - 3.6V（通常为 2.5V）
　　数据速率：高达 166MHz（等效于 333Mbps）
　　数据宽度：16 位
　　封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　时钟频率：166MHz
　　工作模式：突发模式（Burst Mode）支持
　　刷新周期：64ms
　　封装尺寸：54-ball TSOP
　　制造工艺：CMOS 工艺

HY5DU2562GTR-FAC 是一款具有高性能和高可靠性的 DDR2 SDRAM 芯片，采用先进的 CMOS 工艺制造，具有低功耗、高集成度和稳定的数据传输能力。该芯片支持突发模式（Burst Mode），可显著提升内存访问效率，适用于需要连续数据流处理的应用场景。其 16 位数据总线宽度使得单次数据传输量更大，适合高速数据缓存和主存储器应用。
　　该芯片的工作电压范围较宽（2.3V 至 3.6V），使其在不同电源条件下均能稳定运行，适用于多种电源管理设计。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能够在严苛的环境条件下正常工作，广泛应用于工业控制、通信设备和嵌入式系统。
　　HY5DU2562GTR-FAC 支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在断电或低功耗状态下仍能保持完整性。其 64ms 的刷新周期保证了内存单元的稳定性和数据的长期可靠性。此外，该芯片采用 TSOP 封装形式，便于 PCB 布局和焊接，适用于高密度电路设计。

HY5DU2562GTR-FAC 主要应用于以下领域：
　　? 个人计算机和笔记本电脑的主内存模块
　　? 服务器和工作站的高速缓存系统
　　? 工业控制系统和自动化设备
　　? 网络通信设备（如路由器、交换机）
　　? 嵌入式系统和智能终端设备
　　? 多媒体播放器和数字电视
　　? 数据采集与处理系统
　　? 高速图像处理与视频编码设备
　　由于其高性能、低功耗和广泛的适用性，该芯片在工业和消费电子市场中均有广泛应用。

HY5DU2562GTR-FAC 可以被以下型号替代：HY5DU2562GTR-SAC、HY5DU2562GTR-F6、MT48LC16M2A2B4-333A1B4-6A 和 K4T51163QG-333CF。