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HY5DU121622DLTP-J-C 发布时间 时间:2025/9/1 11:15:07 查看 阅读:5

HY5DU121622DLTP-J-C 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片属于高速、低功耗的移动DRAM类别,常用于需要高性能和低功耗的电子设备中,如智能手机、平板电脑和便携式计算设备。

参数

容量:256MB
  类型:DRAM
  组织结构:16M x16
  电压:1.8V
  接口类型:并行接口
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至85°C

特性

HY5DU121622DLTP-J-C 是一款高性能的DRAM芯片,其主要特性包括低功耗设计、高速数据传输能力和稳定性强。该芯片采用CMOS工艺制造,具有较低的待机电流,适合在电池供电设备中使用。其TSOP封装形式有助于提高芯片的散热性能和稳定性,同时减小了电路板空间占用。此外,该芯片支持多种刷新模式,如自动刷新和自刷新,以确保数据在断电时不会丢失,并有效降低功耗。其1.8V的工作电压使其适用于低电压系统,有助于提高设备的能效。该芯片还具有较高的存储密度,能够满足需要大容量内存的设备需求。
  在操作上,HY5DU121622DLTP-J-C 支持异步和同步两种操作模式,能够适应不同的系统需求。其并行接口设计允许高速数据传输,适用于需要快速存取数据的应用场景。此外,该芯片的封装设计和引脚排列优化了信号完整性和抗干扰能力,确保在高频操作下的稳定性和可靠性。这些特性使HY5DU121622DLTP-J-C 成为许多高性能电子设备的理想选择。

应用

HY5DU121622DLTP-J-C 常用于便携式消费电子产品,如智能手机、平板电脑、MP3播放器和电子书阅读器等。此外,它也可用于工业控制设备、网络通信设备和嵌入式系统,以提供高速缓存和临时数据存储功能。

替代型号

HY5DU121622DLTP-J-K

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