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HY5DU121622CFP-D43 发布时间 时间:2025/9/2 4:27:16 查看 阅读:13

HY5DU121622CFP-D43 是一款由现代(Hynix,现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛用于需要高性能存储的电子设备中。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高速访问和高可靠性的特点。

参数

容量:16MB
  组织结构:1M x16
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:4.3ns
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装:54引脚TSOP
  接口类型:异步SRAM接口兼容

特性

HY5DU121622CFP-D43 是一款高速、低功耗的静态随机存储器(SRAM)芯片,虽然其型号命名方式与DRAM相似,但其特性更接近于SRAM,适用于需要快速数据存取的嵌入式系统和通信设备。该芯片支持异步操作,可与多种微处理器和控制器无缝连接,具有较高的系统集成灵活性。
  这款芯片的核心特性包括:4.3ns的访问时间,支持高速数据读写操作;工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),适应多种电源设计需求;工作温度范围为-40°C至+85°C,满足工业级应用的严苛环境要求。此外,其54引脚TSOP封装形式有助于减小PCB布局空间,并提升高频操作下的稳定性。
  HY5DU121622CFP-D43 的内部结构采用先进的CMOS技术,确保了低待机电流和高效能比。该芯片广泛应用于网络设备、工业控制、测试仪器、图像处理模块以及嵌入式系统中的缓存或主存储器。其高可靠性和稳定性也使其成为航空航天、汽车电子和高端通信设备中的理想选择。

应用

该芯片常用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、网络设备、医疗仪器、图像处理系统以及需要高速存储的消费类电子产品中。

替代型号

CY62167EVLL-S70AE、IS61LV25616ALB4-8T、IDT71V416SA、HY5DU121622AFP-D43

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