HY57V64820HGT-H 时间：2025/5/13 18:57:24 阅读：8

HY57V64820HGT-H 是一款由 Hynix（现代半导体）生产的 16Mbit（2Mx8）高速同步动态随机存取存储器（SDRAM）。该芯片采用先进的制造工艺，支持高带宽数据传输，适用于对性能要求较高的应用场合。它具有低功耗、高可靠性和易于集成的特点。
　　这款 SDRAM 支持标准的同步接口协议，能够与多种处理器和控制器无缝连接。其工作电压为 3.3V，封装形式为 50 引脚的 TSOP-II 封装，适合用于需要紧凑设计的应用场景。

参数

容量：16Mbit
　　组织方式：2Mx8
　　工作电压：3.3V
　　数据宽度：8位
　　封装形式：TSOP-II-50
　　时钟频率：最高133MHz
　　存取时间：最大15ns
　　工作温度范围：-40℃至+85℃
　　I/O 电压：3.3V

特性

HY57V64820HGT-H 提供了出色的性能表现和可靠性，以下是其主要特性：
　　1. 高速数据传输能力，支持高达 133MHz 的时钟频率，满足现代电子设备对速度的需求。
　　2. 低功耗设计，在保证性能的同时降低系统的能耗。
　　3. 容量为 16Mbit，适合用作中等规模的数据缓存或临时存储。
　　4. 支持突发传输模式，可以显著提高连续数据读写操作的效率。
　　5. 具备自动刷新和自定时自刷新功能，简化了系统设计并降低了复杂度。
　　6. 工作温度范围宽泛，适应各种工业和商业环境下的应用需求。
　　7. 紧凑型 TSOP-II-50 封装，节省电路板空间，便于小型化设计。

应用

HY57V64820HGT-H 广泛应用于以下领域：
　　1. 计算机及外设：如打印机、扫描仪等需要快速数据处理的设备。
　　2. 消费类电子产品：包括数字电视、机顶盒、游戏机等对多媒体性能要求较高的产品。
　　3. 通信设备：路由器、交换机以及其他网络基础设施中的数据缓冲。
　　4. 工业控制：PLC、人机界面等需要稳定存储解决方案的工业自动化系统。
　　5. 嵌入式系统：作为主处理器的外部存储扩展，提供更大的运行内存支持。
　　总之，任何需要大容量、高速度和低功耗存储的场景都可以考虑使用 HY57V64820HGT-H。