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HY57V643220CLT 发布时间 时间:2025/9/1 18:03:51 查看 阅读:9

HY57V643220CLT是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,主要用于嵌入式系统、工业设备和计算机外设等应用中。这款芯片属于早期的DRAM产品之一,采用48引脚TSOP封装,具备高速数据访问能力,适用于需要中等容量存储的应用场景。

参数

容量:4M x 16(64Mb)
  组织方式:x16
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数:48-pin
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  访问时间:5.4ns(典型值)
  刷新周期:64ms
  接口类型:异步DRAM接口
  最大工作频率:166MHz

特性

HY57V643220CLT是一款异步DRAM芯片,具有较高的数据访问速度和稳定性。该芯片采用CMOS工艺制造,具备较低的功耗和较强的抗干扰能力,适用于各种工业和嵌入式系统。其异步控制接口允许直接与处理器或控制器连接,无需额外的时钟同步电路,简化了设计复杂度。
  该芯片支持标准的DRAM刷新操作,包括自动刷新(Auto Refresh)和自刷新(Self Refresh)模式,以确保数据在不丢失的情况下保持稳定。此外,其低待机电流特性有助于降低系统整体功耗,适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。
  Hynix在该产品系列中采用了高密度存储单元设计,使得HY57V643220CLT在保持较小封装尺寸的同时实现了64Mb的存储容量。该芯片的读写操作支持页模式(Page Mode)和快速页面模式(Fast Page Mode),进一步提升了数据吞吐率。

应用

HY57V643220CLT广泛应用于各种嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、打印机、扫描仪、网络设备及消费类电子产品中。由于其较高的稳定性和兼容性,常被用作微控制器、DSP(数字信号处理器)或FPGA(现场可编程门阵列)系统的外部存储器扩展。此外,该芯片也适用于需要临时数据缓存和高速数据处理的场景。

替代型号

IS61LV25616ALB4BLL、CY7C1041CV33、IDT71V416SA、ISSI IS48LV16M16A

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