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HY57V643220CLT-7 发布时间 时间:2025/9/1 14:37:55 查看 阅读:4

HY57V643220CLT-7是一款由现代(Hyundai)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于需要高性能和大容量存储的设备中。该芯片采用3.3V电源供电,具备高速访问能力,适用于各种嵌入式系统、计算机外设和工业设备。

参数

容量:64Mbit
  组织方式:4M x 16
  电源电压:3.3V
  访问时间:7ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  工作温度范围:工业级(-40℃~+85℃)

特性

HY57V643220CLT-7具有高性能和低功耗的特点,支持高速数据访问,适用于对存储容量和速度有较高要求的应用场景。其3.3V供电设计降低了功耗,同时减少了热量产生,提高了系统的稳定性。
  该芯片采用CMOS工艺制造,具备较高的集成度和可靠性。TSOP封装形式有助于提高空间利用率,适用于紧凑型设计。此外,HY57V643220CLT-7符合工业级温度要求,可在恶劣环境中稳定工作。
  芯片内部集成了刷新控制电路,简化了外部控制逻辑,降低了系统设计的复杂度。其高速访问能力使其适用于需要快速数据处理的应用,如图像处理、网络通信和数据缓冲。

应用

该芯片广泛应用于工业自动化设备、嵌入式系统、网络设备、打印机、扫描仪以及计算机外围设备。由于其高速性能和稳定性,也常用于视频采集和处理设备、医疗仪器以及通信模块中。

替代型号

IS61LV643220ALB-7SLI

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