类型：DRAM
　　容量：64Mbit
　　组织结构：4M x 16
　　电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　最大访问时间：10ns
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz

HY57V641620TC-10 是一款高性能的同步DRAM芯片，具备高速存取能力和较低的功耗，适用于多种嵌入式系统和老一代PC主板。
　　该芯片采用同步接口设计，能够与系统时钟同步工作，提高数据传输效率和稳定性。其166MHz的工作频率使得数据访问延迟较低，适合对性能有一定要求的应用场景。
　　64Mbit的存储容量（组织为4M x 16）使其适用于需要较大内存缓冲的场合，例如图形处理、数据缓存或系统内存扩展。
　　采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，具有良好的电气性能和散热能力，适用于高密度PCB布局。
　　该芯片支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业控制、通信设备等对环境适应性要求较高的应用场景。
　　此外，HY57V641620TC-10 的3.3V电源供电设计降低了功耗并提高了系统的稳定性，符合当时低功耗电子设备的发展趋势。

HY57V641620TC-10 主要用于早期的个人计算机内存模块（如SIMM或DIMM）、嵌入式系统、工业控制器、网络设备、视频采集与显示设备、通信模块等需要同步DRAM的场合。
　　在工业自动化领域，该芯片可用于PLC控制器、人机界面（HMI）设备以及数据采集系统，提供高速数据存储和临时缓存功能。
　　在通信设备方面，它可用于路由器、交换机、DSL调制解调器等设备中的数据缓冲区管理。
　　此外，该芯片也适用于老式游戏机、视频采集卡、图像处理模块等需要高速内存支持的应用场景。

IS42S16400F-10BLI, MT48LC16M16A2B4-10A, KM416S1630CT-10