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HY57V641620HGTP-H 发布时间 时间:2025/9/2 8:14:37 查看 阅读:10

HY57V641620HGTP-H 是由现代(Hynix,现为SK Hynix)生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)类型,广泛用于需要高速数据存储和访问的电子设备中,例如嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和通信设备等。HY57V641620HGTP-H 采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,具备较高的集成度和稳定性。

参数

容量:64Mbit
  组织结构:16M x 4 / 8M x 8 / 4M x 16
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54-pin
  时钟频率:最大可达166MHz

特性

HY57V641620HGTP-H 是一款高性能的DRAM芯片,具备低功耗、高可靠性和高速数据存取能力。其同步接口设计使得数据读写操作与系统时钟保持同步,从而提高了系统的整体效率。该芯片支持多种数据宽度配置(x4、x8、x16),为不同的应用需求提供了灵活性。此外,其宽电压范围(2.3V - 3.6V)使其适用于多种电源环境,增强了设计的兼容性。
  这款DRAM芯片的工作温度范围较宽(-40°C 至 +85°C),适用于工业级应用环境,能够在高温或低温条件下保持稳定运行。TSOP封装形式不仅减小了芯片的体积,还降低了电磁干扰(EMI),提高了信号完整性。同时,该芯片具备较高的数据保持能力,确保在复杂环境下数据的可靠性。

应用

HY57V641620HGTP-H 广泛应用于多种电子设备和系统中,尤其适用于需要中等容量高速存储的场景。典型应用包括工业控制设备、通信设备、网络路由器、交换机、嵌入式系统、医疗设备和消费类电子产品。由于其宽工作温度范围和高可靠性,该芯片在工业自动化和户外设备中表现尤为出色。此外,在需要临时数据缓存或高速数据处理的场景中,如视频缓冲、图像处理和实时数据采集系统,HY57V641620HGTP-H 同样具有广泛的应用价值。

替代型号

IS42S16400F-6T、MT48LC16M16A2B4-6A、CY7C1370BV33、K4S641632K

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