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LBZX84-C22LT1H 发布时间 时间:2025/8/13 5:11:43 查看 阅读:26

LBZX84-C22LT1H 是一款由ONSEMI(安森美半导体)制造的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件属于小型SOD-523封装系列,适合用于高密度PCB布局。其标称齐纳电压为22V,具有低动态阻抗、快速响应时间和良好的温度稳定性,适合用于精密电路设计。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOD-523
  齐纳电压(Vz):22V
  容差:±5%
  最大耗散功率(Pd):200mW
  最大反向电流(Iz):100mA
  动态阻抗(Zzt):最大150Ω
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  湿度等级:1级
  引脚数:2
  极性:双向(标准)
  安装类型:表面贴装

特性

LBZX84-C22LT1H 具备一系列优异的电气和物理特性,使其在多种电路应用中表现出色。首先,其采用SOD-523封装,体积小巧,适用于高密度印刷电路板(PCB)设计,同时具备良好的热性能和机械稳定性。其次,该齐纳二极管的动态阻抗较低(最大150Ω),有助于在负载变化时保持稳定的电压输出,从而提高电路的精度和可靠性。
  该器件的最大耗散功率为200mW,在标准工作条件下可以承受高达100mA的反向电流,适用于中等功率的稳压和参考电压应用。其±5%的容差范围确保了电压精度,适合用于需要较高稳定性的电路系统,如电源管理模块、电压检测电路以及模拟信号调理电路。
  此外,LBZX84-C22LT1H 的工作温度范围为-55°C至+150°C,使其能够在各种恶劣的环境条件下正常运行,包括汽车电子系统、工业控制设备和消费类电子产品。该器件符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺,满足现代电子制造对环保和可靠性的要求。
  由于其双向极性设计,LBZX84-C22LT1H 可以在正负电压下均保持稳定的齐纳效应,增强了其在复杂电路中的适用性。该器件的低漏电流特性也确保了在非导通状态下的能耗最小化,从而提高整体系统的能效。

应用

LBZX84-C22LT1H 主要应用于需要稳定参考电压或电压限制功能的电子电路中。在电源管理系统中,它常被用作电压基准,以确保电压调节器、ADC/DAC模块以及其他关键电路组件的精确工作。该器件也广泛用于过压保护电路中,用于钳位电压,防止敏感电子元件因电压尖峰而损坏。
  在工业自动化系统中,LBZX84-C22LT1H 可作为传感器信号调理电路中的参考源,确保测量结果的准确性。此外,它还可以用于通信设备中的偏置电压稳定电路,以维持射频或模拟电路的正常工作状态。
  在消费类电子产品中,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中,LBZX84-C22LT1H 用于电池管理电路中的电压监测,以确保电池在安全范围内工作,延长设备的使用寿命。它也适用于LED驱动电路中的限压保护,防止LED因电压波动而损坏。
  在汽车电子系统中,该齐纳二极管可用于车载电源系统的稳压保护,如车载信息娱乐系统、电池管理系统(BMS)和传感器接口电路。其宽温度范围和高可靠性使其特别适合用于严苛环境下的汽车应用。

替代型号

MMBZ5242B-22V, BZX84-C22, ZMM22, Z22ED

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