容量：64Mbit
　　组织结构：16位x4M
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作电压：3.3V
　　时钟频率：166MHz
　　访问时间：8ns
　　数据速率：166MHz
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）

HY57V641620HGT-8I 是一款高性能的16位宽同步动态随机存取存储器（SDRAM），其设计针对需要高速数据存取和稳定性的工业及嵌入式应用场景。该芯片的容量为64Mbit，采用16位×4M的组织结构，使其适用于需要较高数据吞吐量的系统。其工作电压为3.3V，支持166MHz的时钟频率，访问时间低至8ns，这使得它在高速数据传输环境下表现优异。
　　该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装形式，具有较低的封装高度和良好的散热性能，适合空间受限的电路板设计。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，能够在恶劣环境下稳定运行。HY57V641620HGT-8I还具备自动刷新和自刷新功能，确保数据在不频繁访问时依然能够保持完整，降低了系统功耗并提高了存储效率。
　　作为同步动态存储器，HY57V641620HGT-8I的数据输入输出与时钟信号同步，有助于减少延迟和提高整体系统性能。这种特性使其特别适用于需要高带宽内存支持的嵌入式处理器、网络交换设备、视频采集系统以及其他需要实时数据处理的应用场景。

该芯片主要应用于工业控制设备、网络路由器与交换机、嵌入式系统主板、数字视频设备、通信模块、智能卡终端等对内存性能和稳定性有较高要求的电子设备中。

IS42S16400J-8T、K4S641632K-TC、MT48LC16M16A2B4-8A