类型：DRAM
　　子类型：SDRAM
　　容量：64MB（Megabits）
　　组织结构：16位 x 4M（4 Meg，每个Bank）
　　电源电压：3.3V
　　工作频率：最大访问时间5ns（对应时钟频率约为166MHz）
　　封装类型：TSOP-II
　　引脚数量：54-pin
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据宽度：16位
　　内部存储体：4 Bank
　　刷新周期：64ms
　　时钟模式：同步

HY57V641620ESTP-5 作为一款高性能的同步动态存储器芯片，具有以下显著特性：
　　首先，该芯片采用了同步接口设计，能够与系统时钟保持同步，提高数据传输效率和时序控制精度，适用于需要高速数据处理的场合。其最大访问时间为5ns，对应的时钟频率为166MHz，能够满足对速度要求较高的嵌入式系统和通信设备的需求。
　　其次，HY57V641620ESTP-5 采用TSOP-II封装技术，封装体积小且散热性能良好，适用于高密度PCB布局设计，同时增强了芯片的可靠性和耐用性。
　　其供电电压为3.3V，具有较低的功耗，同时兼容当时主流的电压标准，便于与多种控制器和处理器接口连接。
　　该芯片内部配置为4个独立存储体（4 Bank），支持突发访问模式，提升数据连续读写性能。同时支持自动刷新和自刷新模式，有效延长数据保存时间，降低系统功耗。
　　此外，HY57V641620ESTP-5 的工作温度范围为-40°C至+85°C，属于工业级温度范围，适用于各种严苛环境下的应用，如工业控制、自动化设备和户外通信设备等。

HY57V641620ESTP-5 广泛应用于需要中等容量高速存储的电子系统中。常见的应用包括嵌入式系统、工业控制设备、网络设备、路由器、打印机、数字电视和视频采集设备等。由于其同步接口设计和较高的性能稳定性，它也常用于需要实时数据处理的场合，如智能卡读写器、测试仪器和医疗设备等。

HY57V641620AFP-5
　　IS42S16400B-5TL
　　MT48LC16M2A2B4-5A