类型：MOS FET输出型光继电器
　　通道数：单通道
　　输入正向电流（IF）：典型值5mA，最大值10mA
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输出导通电阻（RON）：典型值较低，具体依型号而定，一般在几欧姆至十几欧姆之间
　　输出漏电流（ILEAK）：极低，通常在nA级别
　　隔离电压（Viso）：通常为5000Vrms（交流有效值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C 或更高
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：TSON-4 或类似小型表面贴装封装
　　引脚数：4引脚
　　LED波长兼容性：红外光触发
　　开关速度：导通时间与关断时间均在微秒级
　　负载电压（VLOAD）：根据具体子型号，支持最高达60V DC的负载电压

G3VM-V系列光继电器的核心特性在于其采用MOS FET作为输出开关元件，这使得它在导通状态下具有非常低的导通电阻（RON），从而显著降低了导通损耗和发热，提升了能量效率。这一特性使其非常适合用于电池供电设备或对热管理要求较高的应用场景。由于MOS FET的双向导电能力，该器件可用于交流或直流负载的控制，具备良好的通用性。在输入侧，该器件仅需微弱的驱动电流即可点亮内部LED，典型驱动电流为5mA，远低于传统电磁继电器所需的数十毫安，因此可以直接由微控制器I/O口驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计并节省了成本。
　　G3VM-V系列具备优异的电气隔离性能，输入与输出之间的隔离电压高达5000Vrms，能够有效防止高压窜入低压控制侧，保障系统安全和操作人员安全。其内部结构采用光耦合方式实现信号传输，完全实现了电-光-电的转换过程，杜绝了电磁干扰的传播路径，提高了系统的抗干扰能力和稳定性。此外，该器件无机械触点，不存在接触弹跳、氧化、腐蚀等问题，可在高湿度、多粉尘或强振动环境中长期稳定运行，适用于工业现场等严苛环境。
　　在可靠性方面，G3VM-V系列具有极长的使用寿命，理论上可达数十亿次开关操作，远超传统电磁继电器的百万次级别。同时，其快速的开关响应时间（通常在几微秒内）使其适用于需要高速切换的应用，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统或多路复用器中的信号路由。该器件还具备极低的输出漏电流，在关断状态下几乎不产生电流泄漏，确保被控电路真正断开，避免误动作或功耗浪费。综合来看，G3VM-V系列凭借其小体积、低功耗、高可靠性和多功能性，成为现代电子系统中替代传统继电器的理想选择。

G3VM-V系列光继电器广泛应用于多个高科技和工业领域。在工业自动化控制系统中，它常用于PLC模块、传感器接口、气动/电动阀门控制单元中，实现对执行机构的安全隔离与精确控制。在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据记录仪和示波器前端模块，该器件用于信号通道的选择与切换，因其低导通电阻和高重复性可保证测量精度不受影响。在通信设备中，G3VM-V可用于电话交换系统、网络路由器和基站模块中的线路切换与电源管理功能。
　　在医疗电子设备中，由于其高绝缘性和低电磁干扰特性，G3VM-V被用于病人监护仪、诊断成像设备和便携式医疗仪器中，确保信号隔离的同时提升设备安全性。在消费类电子产品中，如智能家居控制器、音响系统和数码相机中，该器件用于音频/视频信号切换或电源通断控制，提供静音操作和长寿命保障。
　　此外，G3VM-V也适用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器和电动汽车充电模块中的信号隔离与状态监测环节。其表面贴装封装便于自动化贴片生产，适合大规模制造需求。由于其宽温工作范围和高抗振性，该器件也可部署于户外设备、轨道交通系统和航空航天电子系统中，承担关键的信号隔离任务。总之，凡是需要安全隔离、频繁开关、低噪声和高可靠性的场合，G3VM-V系列都能发挥出色性能。

G3VM-61VY\G3VM-62VY\G3VM-407A