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HY57V641620EFP-7 发布时间 时间:2025/9/2 2:21:24 查看 阅读:8

HY57V641620EFP-7是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片采用16M x 4 banks x 16 bits架构,属于同步动态RAM(SDRAM)类别,广泛应用于需要高速数据访问的电子设备中。

参数

容量:256MB
  数据宽度:16位
  工作电压:3.3V
  时钟频率:143MHz(对应-7速度等级)
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:工业级(通常为-40°C至+85°C)
  数据传输率:143MHz CL=5
  刷新周期:64ms

特性

HY57V641620EFP-7具备高速同步操作能力,支持突发模式访问,提高数据传输效率。其低功耗特性适合电池供电设备,同时具备自动刷新和自刷新模式以保持数据完整性。TSOP封装设计有助于节省PCB空间并增强散热性能,适用于紧凑型电子设备设计。该芯片还具备较高的可靠性和稳定性,适合在工业环境和恶劣条件下使用。
  此外,该芯片支持多种突发长度模式,允许连续读取或写入多个数据单元,从而减少地址切换时间,提升整体系统性能。其同步接口设计与主控芯片的时钟信号保持一致,确保数据传输的精确性和稳定性。

应用

HY57V641620EFP-7广泛应用于工业控制设备、嵌入式系统、网络设备、通信模块、视频采集与显示设备以及消费类电子产品。例如,它可用于路由器、交换机、数字电视、便携式游戏机和智能家电等设备中,提供高速、可靠的数据存储支持。

替代型号

HY57V641620AFP-7、IS42S16400F-7T、MT48LC16M16A2B4-7A

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