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BZX84J-B39,115 发布时间 时间:2025/9/13 23:53:38 查看 阅读:5

BZX84J-B39,115 是一款由 Nexperia(原 Philips Semiconductors)制造的表面贴装齐纳二极管(稳压二极管),属于 BZX84J 系列。这款齐纳二极管设计用于提供精确的电压参考和电压调节功能,适用于各种模拟和数字电路中的稳压需求。该器件采用 SOT-23(TO-236AB)封装,适合用于空间受限的高密度 PCB 设计。其标称齐纳电压为 3.9V,具有低动态阻抗和良好的温度稳定性,适合用于电源管理、电压参考、信号调节等多种应用场景。

参数

类型:齐纳二极管
  封装类型:SOT-23(TO-236AB)
  齐纳电压(Vz):3.9V
  容差:±2%(B等级)
  最大耗散功率(Ptot):300mW
  最大齐纳电流(Izmax):约 200mA(取决于外部电路)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  动态阻抗(Zzt):约 50Ω(典型值)
  测试电流(Izt):5mA

特性

BZX84J-B39,115 齐纳二极管具有多项优异特性,使其适用于各种精密稳压和参考电压应用。
  首先,该器件的齐纳电压标称值为 3.9V,容差为 ±2%,确保了在不同工作条件下的电压稳定性。这一精度使其适用于需要高稳定性的电压参考电路,例如 ADC/DAC 基准电压源、传感器信号调理等。
  其次,BZX84J-B39,115 采用 SOT-23 封装,体积小巧,便于在高密度 PCB 布局中使用。该封装还具备良好的热性能,有助于器件在高功耗条件下维持稳定运行。
  此外,该齐纳二极管的最大耗散功率为 300mW,允许在较高电流下工作,适用于需要较大负载能力的稳压电路。其动态阻抗较低(典型值为 50Ω),意味着在负载变化时输出电压波动较小,提高了系统的稳定性。
  该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于宽温度环境下的工业和汽车应用。其存储温度范围也较宽,确保了在运输和存储过程中不易损坏。
  最后,BZX84J-B39,115 采用了 Nexperia 的先进制造工艺,确保了器件的一致性和可靠性,适用于各种长期运行的电子系统。

应用

BZX84J-B39,115 广泛应用于多种电子设备和系统中,主要集中在需要稳定电压参考或低功耗稳压的场合。
  首先,它常用于电源管理电路中,作为基准电压源,为线性稳压器、DC-DC 转换器和电池充电电路提供稳定的参考电压。例如,在 LM317 等可调稳压器中,BZX84J-B39 可作为参考电压源来设定输出电压。
  其次,该齐纳二极管适用于信号调理电路,如运算放大器偏置电路、比较器参考电压源等,确保模拟信号处理的稳定性。
  此外,它也广泛用于嵌入式系统中的微控制器(MCU)电源监控电路,防止因电压波动导致的系统复位或误操作。在汽车电子系统中,BZX84J-B39,115 可用于车载传感器、ECU 模块和仪表盘显示的电压参考电路。
  在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和智能穿戴设备中,该器件可用于电源管理 IC(PMIC)的参考电压源,提高系统能效和稳定性。
  总之,BZX84J-B39,115 凭借其高精度、小尺寸和良好的温度特性,适用于广泛的工业、汽车和消费类电子应用。

替代型号

BZX84C39, BZX84J-39, MMSZ4684T1G, 1N4739A

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BZX84J-B39,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)39V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50nA @ 27.3V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大550mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)75 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-90,SOD-323F
  • 供应商设备封装SOD-323F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称934060954115BZX84J-B39 T/RBZX84J-B39 T/R-ND