容量：256Mbit
　　组织方式：16M x 16
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　数据速率：10ns（100MHz）
　　数据宽度：16位
　　刷新周期：64ms
　　访问时间：5.4ns
　　

HY57V561620FT-H 具备多项高性能特性。首先，它是一款16M x 16结构的DRAM芯片，总容量为256Mbit，适用于需要大量数据缓存的系统。其同步工作频率高达100MHz，支持快速的数据读写操作，适用于高性能嵌入式系统和通信设备。
　　其次，该芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，适应多种电源设计环境，增强了其在不同应用场景中的兼容性。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于较为严苛的工作环境，如工业控制、车载系统和户外通信设备等。
　　封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合空间受限的应用场景。HY57V561620FT-H 支持标准的DRAM控制信号，包括RAS（行地址选通）、CAS（列地址选通）、WE（写使能）等，便于与主控芯片进行接口设计。
　　该芯片还具备64ms的自动刷新周期，确保数据在断电前能够被正确保存，并通过低功耗模式减少待机时的能耗。这些特性使得HY57V561620FT-H在嵌入式系统、网络设备、视频采集与处理设备中均有良好的应用表现。

HY57V561620FT-H 主要应用于需要高速存储和较大容量的嵌入式系统中。例如，在网络设备中，它可以作为缓存存储器用于处理大量的数据包；在工业控制系统中，可用于存储运行时的临时数据和程序变量；在视频采集设备中，能够满足高速图像数据的临时存储需求。
　　此外，该芯片也适用于智能家电、手持设备、打印机、扫描仪等消费类电子产品，为其提供稳定可靠的内存支持。由于其工业级温度范围和TSOP封装形式，也常被用于车载电子系统和户外通信设备中，以确保在各种环境条件下都能稳定运行。

IS42S16100E-6T、K4S641632K-TC、CY7C1362B-100BGC、ISSI IS42S16400J