HY57V561620CTP 是现代(Hyundai)公司生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片,广泛用于需要高性能存储的电子设备中。该芯片采用同步动态随机存取存储器(SDRAM)技术,具有高速数据访问能力,适用于通信设备、嵌入式系统、网络设备及工业控制设备等应用领域。HY57V561620CTP 的设计旨在提供高存储密度与快速响应能力,满足对数据处理速度和稳定性有较高要求的系统需求。
类型:SDRAM
容量:256Mbit
组织结构:x16 位数据总线
电源电压:3.3V
工作频率:166MHz
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
引脚数:54-pin
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据速率:166MHz
时钟模式:同步
刷新方式:自动刷新/自刷新
存储架构:DRAM
HY57V561620CTP 是一款高性能的同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片,具有256Mbit的存储容量,支持x16的数据总线宽度,能够提供较高的数据吞吐率。其166MHz的工作频率确保了快速的数据访问能力,适用于对响应速度有较高要求的应用场景。该芯片采用3.3V电源供电,具备较低的功耗特性,适合嵌入式系统和便携式设备的电源管理需求。
封装方面,HY57V561620CTP 使用54引脚的TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,具有较小的封装体积和良好的散热性能,便于在空间受限的电路板上进行布局。该芯片支持自动刷新和自刷新功能,可有效延长数据保持时间,减少外部控制器的干预,提升系统的稳定性。
此外,HY57V561620CTP 的工作温度范围为工业级标准(-40°C 至 +85°C),适用于各种严苛的环境条件,如工业控制、通信设备和车载系统等。其同步接口设计使得数据传输与时钟信号保持同步,简化了时序控制并提高了系统效率。这种设计也使得该芯片易于与高性能微处理器、数字信号处理器(DSP)或图形控制器等配合使用,满足复杂系统对内存性能的高要求。
HY57V561620CTP 广泛应用于需要高性能存储支持的电子设备和系统中。其主要应用领域包括通信设备(如路由器、交换机、基站模块)、嵌入式系统(如工业控制主板、智能终端设备)、网络设备(如安防监控设备、数据采集模块)以及消费类电子产品(如高清电视、游戏机外围设备)。由于其高速数据访问能力和较大的存储容量,该芯片也非常适合用于图像处理、视频缓存、高速缓存存储等对内存带宽敏感的应用场景。
HY57V561620FTP, MT48LC16M2A2B4-6A, IS42S16400F-6T