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HY57V561620CT-HI 发布时间 时间:2025/9/2 10:10:58 查看 阅读:13

HY57V561620CT-HI 是由现代(Hyundai,现为SK Hynix)生产的一款高速动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于同步DRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)类型,广泛用于需要高性能存储的电子设备,如计算机主板、嵌入式系统、工业控制设备等。HY57V561620CT-HI 采用TSOP(Thin Small-Outline Package)封装,具有高密度存储能力和较高的数据访问速度,适合对存储性能有较高要求的应用场景。

参数

类型:DRAM
  容量:256Mbit(Megabit)
  组织结构:16M x 16bit
  工作电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  最大访问时间:5.4ns(纳秒)
  最大工作频率:166MHz
  数据速率:166MHz
  时钟频率:166MHz
  工作温度范围:工业级(通常为-40°C至+85°C)

特性

HY57V561620CT-HI 是一款高性能的同步DRAM芯片,具备出色的存储密度和访问速度。其256Mbit的存储容量和16位的数据总线宽度,使其能够提供16M x 16bit的组织结构,适用于需要大量数据缓存和快速访问的场景。该芯片的工作频率高达166MHz,具有5.4ns的存取时间,能够满足高速数据传输的需求。此外,HY57V561620CT-HI 工作电压为3.3V,符合大多数嵌入式系统和工业设备的电源标准,具有较低的功耗和较好的稳定性。
  该器件采用TSOP封装技术,具有较小的体积和较轻的重量,适用于对空间要求较高的电路板设计。同时,其工业级工作温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在各种严苛环境下稳定运行,适用于工业控制、通信设备、医疗仪器等对可靠性要求较高的应用场景。
  作为同步DRAM,HY57V561620CT-HI 的读写操作与系统时钟同步,可以提高系统的整体性能和时序控制的精确性,有助于提升系统的运行效率。

应用

HY57V561620CT-HI 广泛应用于需要高性能存储的设备中,如工业控制主板、嵌入式系统、通信设备、网络路由器、数字视频设备、图形加速卡等。由于其高频率、低功耗和工业级温度范围的特性,该芯片特别适合用于需要稳定性和高速数据处理能力的工业级设备。此外,HY57V561620CT-HI 也可用于消费类电子产品,如高端家用游戏机、智能电视、多媒体播放器等,以提升系统的整体性能和响应速度。

替代型号

IS42S16400J-6T、MT48LC16M2A2B4-6A、K4S641632H-UC

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