时间：2025/9/2 10:10:58
阅读：25
HY57V561620CT-HI 是由现代（Hyundai，现为SK Hynix）生产的一款高速动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于同步DRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）类型，广泛用于需要高性能存储的电子设备，如计算机主板、嵌入式系统、工业控制设备等。HY57V561620CT-HI 采用TSOP（Thin Small-Outline Package）封装，具有高密度存储能力和较高的数据访问速度，适合对存储性能有较高要求的应用场景。
类型：DRAM
容量：256Mbit（Megabit）
组织结构：16M x 16bit
工作电压：3.3V
封装类型：TSOP
引脚数：54
最大访问时间：5.4ns（纳秒）
最大工作频率：166MHz
数据速率：166MHz
时钟频率：166MHz
工作温度范围：工业级（通常为-40°C至+85°C）
HY57V561620CT-HI 是一款高性能的同步DRAM芯片，具备出色的存储密度和访问速度。其256Mbit的存储容量和16位的数据总线宽度，使其能够提供16M x 16bit的组织结构，适用于需要大量数据缓存和快速访问的场景。该芯片的工作频率高达166MHz，具有5.4ns的存取时间，能够满足高速数据传输的需求。此外，HY57V561620CT-HI 工作电压为3.3V，符合大多数嵌入式系统和工业设备的电源标准，具有较低的功耗和较好的稳定性。
该器件采用TSOP封装技术，具有较小的体积和较轻的重量，适用于对空间要求较高的电路板设计。同时，其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在各种严苛环境下稳定运行，适用于工业控制、通信设备、医疗仪器等对可靠性要求较高的应用场景。
作为同步DRAM，HY57V561620CT-HI 的读写操作与系统时钟同步，可以提高系统的整体性能和时序控制的精确性，有助于提升系统的运行效率。
HY57V561620CT-HI 广泛应用于需要高性能存储的设备中，如工业控制主板、嵌入式系统、通信设备、网络路由器、数字视频设备、图形加速卡等。由于其高频率、低功耗和工业级温度范围的特性，该芯片特别适合用于需要稳定性和高速数据处理能力的工业级设备。此外，HY57V561620CT-HI 也可用于消费类电子产品，如高端家用游戏机、智能电视、多媒体播放器等，以提升系统的整体性能和响应速度。
IS42S16400J-6T、MT48LC16M2A2B4-6A、K4S641632H-UC
