时间：2025/9/14 11:59:59
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BUK965R4-40E是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）推出的高性能功率MOSFET器件，采用先进的TrenchMOS技术，具有低导通电阻和优异的热性能。该器件主要用于高电流、高效率的功率转换应用，例如电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及工业控制系统。BUK965R4-40E采用标准的PowerSO8封装，具备高可靠性与良好的散热能力，适用于需要紧凑设计和高效能表现的电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：160A
最大漏源电压（VDS）：40V
导通电阻（RDS(on)）：0.95mΩ
栅极电荷（Qg）：145nC
最大功耗（Ptot）：135W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerSO8
BUK965R4-40E具有多项优异的电气和热性能特性，适用于高效率功率转换应用。该器件采用了先进的TrenchMOS技术，提供极低的导通电阻（RDS(on)）值为0.95mΩ，有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外，其额定漏极电流高达160A，能够支持高功率密度的设计需求。该MOSFET具备优异的热稳定性，最大功耗为135W，并采用PowerSO8封装，具有良好的散热能力，能够在高温环境下稳定运行。BUK965R4-40E还具有低栅极电荷（Qg为145nC），可降低开关损耗，提高开关频率下的性能表现。该器件的漏源电压（VDS）为40V，适用于中等电压范围的功率应用，如同步整流、负载开关和电机控制。此外，BUK965R4-40E在封装设计上优化了寄生电感，有助于减少开关过程中的电压振荡，提高系统的稳定性和可靠性。由于其优异的性能指标和高集成度，该MOSFET广泛用于服务器电源、电信设备、工业自动化以及高性能电源管理系统。
BUK965R4-40E的另一个重要特性是其高可靠性与长期稳定性，能够在极端工作条件下保持良好的性能。该器件的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适用于各种严苛环境。此外，该MOSFET具有较强的短路和过热保护能力，能够有效防止在异常工作状态下的损坏。由于其高效率和低损耗特性，BUK965R4-40E在现代高功率密度系统中具有广泛的应用前景。
BUK965R4-40E主要应用于高功率密度和高效能要求的电子系统中。常见的应用包括服务器和电信设备的电源管理、同步整流式DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关、电机控制以及工业自动化设备。该MOSFET适用于需要高电流处理能力、低导通损耗和高效能表现的场景。例如，在服务器电源中，BUK965R4-40E可作为主功率开关或同步整流器，以提高整体电源转换效率；在电池管理系统中，该器件可用于高电流充放电控制；在电机驱动应用中，其高电流承载能力和低导通电阻可有效降低功率损耗并提升系统响应速度。此外，BUK965R4-40E也可用于汽车电子、不间断电源（UPS）以及高性能计算设备中的电源管理模块。
Infineon BSC126N04LSI、ON Semiconductor FDP160N40L、Toshiba TPC8107-H
