容量：256Mbit
　　组织结构：16M x 16
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　封装尺寸：54引脚
　　访问时间：8ns
　　时钟频率：166MHz
　　接口类型：LVTTL
　　刷新周期：64ms

HY57V28820HCLT-8I DRAM芯片具有多项显著特性，使其在多种应用场景中表现出色。首先，该芯片的容量为256Mbit，采用16M x 16的组织结构，适用于需要大量数据缓存的应用。其工作电压范围为2.3V至3.6V，具备较宽的电源适应性，适用于不同的供电环境。此外，该芯片采用LVTTL接口标准，支持高速数据传输，并与多种控制器兼容，提高了系统设计的灵活性。
　　其访问时间为8ns，支持高达166MHz的时钟频率，能够满足对数据存取速度要求较高的应用需求。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境，确保在严苛条件下的稳定运行。HY57V28820HCLT-8I 还具备自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，有效降低功耗并延长数据保持时间，特别适合需要长时间运行的设备。
　　封装形式为54引脚TSOP，具备良好的热性能和机械稳定性，便于SMT（表面贴装技术）工艺安装，适用于高密度PCB设计。其64ms的刷新周期确保了数据存储的可靠性，适用于多种嵌入式系统和通信设备。

HY57V28820HCLT-8I 广泛应用于多种需要高性能DRAM存储的电子设备中。其主要应用包括工业控制设备、网络路由器和交换机、嵌入式系统、视频监控设备、通信模块以及消费类电子产品。在工业自动化系统中，该芯片可作为缓存存储器，提高数据处理效率。在网络设备中，HY57V28820HCLT-8I 可用于提升数据包处理能力，增强设备运行的稳定性。此外，该芯片也适用于便携式电子设备、智能家电、汽车电子系统等需要可靠存储支持的场景。

IS42S16800B-8TLI, MT48LC16M16A2B4-8A, CY7C1380B-8BZXC, A3V28S820HCT