WESD18V0AW1 是一款瞬态电压抑制器(TVS),主要用于保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、雷击和其他瞬态电压事件的损害。该器件采用超小尺寸封装,适用于空间受限的设计,并具有出色的钳位性能和低电容特性,适合高速数据线和射频应用。
该型号属于 NXP Semiconductors 的 TVS 系列产品,广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制领域。
工作电压:18V
峰值脉冲电流:±24A
箝位电压:26.9V
响应时间:小于等于1ps
结电容:0.5pF
漏电流:小于等于1μA
封装类型:SOD-962
WESD18V0AW1 具有以下主要特性:
1. 高度可靠的 ESD 和浪涌保护功能,确保电路在恶劣环境下的稳定性。
2. 极低的电容值(仅 0.5pF),对高速信号传输的影响可以忽略不计。
3. 超快的响应时间(≤1ps),能够迅速抑制瞬态过压事件。
4. 小型化设计(SOD-962 封装),非常适合便携式设备和其他紧凑型应用。
5. 符合 AEC-Q101 标准,满足汽车级可靠性要求。
6. 双向保护结构,支持正负双向瞬态电压抑制。
WESD18V0AW1 广泛应用于以下场景:
1. USB、HDMI、DisplayPort 等高速接口的 ESD 保护。
2. 移动设备中的天线端口保护。
3. 工业以太网和通信模块的信号线路防护。
4. 汽车电子系统中的数据总线和传感器输入保护。
5. RF 射频电路和无线模块的瞬态电压抑制。
6. 各种手持设备、可穿戴设备及其他消费类电子产品中对静电敏感的组件防护。
PESD18V0YCT, SMG18CA-02