时间：2025/9/2 9:02:47
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HY57V281620HCT-HI是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于异步DRAM类别。该芯片具有16M x 16位的存储容量，总共256Mb（兆位）的存储空间，适用于需要较高数据吞吐量和快速存取速度的应用场景。其工作电压为3.3V，支持标准的异步DRAM操作模式，具备低功耗和高可靠性的特点。该器件采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，通常用于工业控制、嵌入式系统、网络设备以及其他需要高速缓存或主存的电子设备中。
容量：256Mb
组织结构：16M x 16位
电压：3.3V
访问时间：5.4ns（最大）
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：异步
刷新方式：自动刷新
数据输出类型：三态输出
引脚数：54
HY57V281620HCT-HI具备高速存取能力，其访问时间仅为5.4ns，能够满足对数据读写速度有较高要求的应用场景。该芯片采用低功耗设计，在保持高性能的同时，有效降低功耗，适用于对能耗敏感的系统。其异步DRAM架构允许与多种控制器兼容，无需严格的时钟同步，简化了系统设计。此外，该芯片支持自动刷新功能，有助于维持数据完整性并延长存储数据的保持时间。采用TSOP封装，不仅减小了体积，还提高了封装的可靠性，适合在空间受限的设备中使用。该器件的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C 至 +85°C），适用于较为严苛的工作环境。其三态输出设计有助于在多设备共享总线时实现高效的数据隔离和控制。
HY57V281620HCT-HI广泛应用于需要中等容量高速存储的嵌入式系统，如工业控制设备、通信模块、网络路由器和交换机、视频处理设备、医疗仪器以及消费类电子产品等。在这些应用中，该芯片可作为主存储器或高速缓存使用，提供快速的数据读写能力以提升系统整体性能。由于其工业级温度范围和高可靠性设计，该芯片也适用于户外设备或环境条件较为恶劣的工业现场。此外，其低功耗特性使其在电池供电设备或对散热要求较高的系统中具有良好的适用性。
IS42S16256A5B1-6T、CY7C1041CV33-55B、IDT71V124SA90B、MT55L256A2B4-6A4B1
