型号：2SA1602-T111-1F
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.4A（@Tc=75℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　最大功耗（Pd）：1.5W（@Tc=75℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：37mΩ（@Vgs=-10V, Id=-4.4A）
　　导通电阻（Rds(on)）：47mΩ（@Vgs=-4.5V, Id=-3.5A）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：800pF（@Vds=-15V, Vgs=0V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：340pF
　　反向传输电容（Crss）：80pF
　　栅极电荷（Qg）：11nC（@Vds=-20V, Id=-4.4A, Vgs=-10V）
　　体二极管反向恢复时间（Trr）：28ns
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：S-Mini（SMT3）
　　安装方式：表面贴装

2SA1602-T111-1F采用了ROHM专有的沟槽结构技术，这种设计显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。其低Rds(on)特性特别适用于高电流负载场景，在保证较小尺寸的同时实现高效的能量传输。器件在Vgs为-10V时Rds(on)仅为37mΩ，在更常见的-4.5V驱动条件下仍可保持47mΩ的低阻值，这表明其对逻辑电平驱动具有良好的适应性，能够直接由3.3V或5V微控制器IO口驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了系统设计并降低了成本。
　　该MOSFET具备出色的热性能，得益于其S-Mini封装优化的散热路径设计，能够在有限的PCB空间内有效传导热量，提升长期运行的可靠性。同时，该封装体积小巧，有助于实现高密度PCB布局，满足现代电子产品小型化趋势。器件的输入、输出及反向传输电容均经过优化，确保快速开关响应，减少开关过程中的交越损耗，适用于高频开关电源应用如同步整流、DC-DC降压/升压转换器等。
　　2SA1602-T111-1F还具备良好的抗雪崩能力和稳健的栅氧化层设计，增强了在瞬态过压和浪涌条件下的耐受能力。其体二极管具有较短的反向恢复时间（Trr=28ns），可减少反向恢复电荷，降低开关节点的电压尖峰和电磁干扰（EMI），在桥式电路或感性负载切换中表现更优。此外，器件的工作结温可达+150℃，支持在高温环境下稳定运行，适用于工业级和车载电子等严苛应用场景。所有材料符合无卤素和RoHS指令要求，体现了环保设计理念。

2SA1602-T111-1F广泛应用于需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。典型应用包括便携式电子设备中的电池电源管理，如智能手机、平板电脑和移动电源中的负载开关和电源路径控制。在这些应用中，该器件可用于控制电池向不同子系统的供电通断，利用其低导通电阻减少电压降和发热，延长电池续航时间。
　　在DC-DC转换器领域，尤其是同步整流降压（Buck）或升压（Boost）拓扑中，2SA1602-T111-1F可作为上管或下管使用，凭借其快速开关特性和低Rds(on)，有效提升转换效率。它也常用于ORing电路、热插拔控制器和电机驱动模块中的功率开关元件，提供可靠的电流控制和保护功能。
　　此外，该器件适用于工业控制设备中的继电器替代方案，实现固态开关，避免机械触点磨损问题。在通信设备、智能家居控制器和LED驱动电源中，该MOSFET可用于精密的电源调控和信号切换。由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，也可用于汽车电子中的辅助电源系统，如车用充电器、车载信息娱乐系统电源管理等。总之，凡是对效率、尺寸和可靠性有较高要求的低压P沟道MOSFET应用场景，2SA1602-T111-1F均是一个理想选择。

APM2516NTRG-7
　　DMG2304U-7
　　Si2301ADS-S16-AXK
　　NTR2101P-H