时间：2025/9/1 20:39:51
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HY57V281620HCT-HDR 是由现代（Hynix，现为SK Hynix）生产的一款高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于16M x16规格的DRAM，总容量为256Mb，采用同步接口，工作电压为2.3V至3.6V，适用于需要高性能和低功耗的应用场景。该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装形式，适合嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等应用。
容量：256Mb
组织结构：16M x 16
工作电压：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：同步
最大访问时间：5.4ns
时钟频率：最大166MHz
刷新周期：64ms
数据输入/输出：LVTTL兼容
HY57V281620HCT-HDR是一款高性能的DRAM芯片，具备高速同步接口，最大时钟频率可达166MHz，支持快速数据存取，适用于需要高带宽内存的应用。其工作电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电压适应性，可在多种电源环境下稳定运行。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗特性，适合电池供电或对功耗敏感的设备。
此外，该DRAM芯片支持标准的64ms自动刷新功能，能够有效保持数据完整性，减少外部控制器的负担。其封装形式为TSOP，体积小巧且易于安装，适用于空间受限的PCB布局。该芯片的工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣环境中稳定运行，广泛适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等应用场景。
HY57V281620HCT-HDR广泛应用于需要高性能内存支持的电子设备，如工业控制计算机、通信基站、网络交换设备、嵌入式系统以及智能终端等。其高速同步接口和低功耗特性使其特别适合用于对数据处理速度和能效要求较高的场合。此外，该芯片也适用于消费类电子产品，如高清电视、数码相机和游戏机等，用于提供快速的数据存储和访问能力。
IS42S16256B-6T、CY7C1370B-SRAM、MT48LC16M2A2B4-6A
