容量：256MB（16M x 16位）
　　类型：CMOS SDRAM
　　封装：TSOP
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　电源电压：3.3V
　　数据速率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　引脚数：54-pin
　　内存组织：16M地址 x 16位数据

HY57V281620HCLT-SI 具有多个显著的性能特点，使其适用于多种高性能系统设计。首先，该芯片支持同步操作，使得数据传输与系统时钟同步，从而提高了整体系统效率和稳定性。其166MHz的数据速率确保了快速的数据访问和处理能力，适用于图像处理、通信设备和嵌入式系统等高速应用场景。
　　其次，该DRAM芯片采用了CMOS工艺，这不仅保证了器件的高集成度，还显著降低了功耗，使其更适合于功耗敏感型设计。此外，该器件的TSOP封装形式不仅有助于减小PCB占用面积，还能提供良好的散热性能，确保在高负载环境下稳定运行。
　　HY57V281620HCLT-SI 的工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于严苛的工业环境，例如工业控制设备和户外通信基站。其54引脚封装设计也便于PCB布局和焊接，提高了生产制造的便利性。
　　另外，该芯片的16M x 16位内存组织结构提供了256MB的总存储容量，能够满足大多数中高端嵌入式系统的内存需求。同时，5.4ns的访问时间确保了快速的数据响应能力，使得系统运行更加流畅。

HY57V281620HCLT-SI 被广泛应用于需要高性能存储的电子设备中，例如网络设备、通信基站、工业控制设备、图形处理器、嵌入式系统等。其高速数据传输能力和低功耗特性也使其适用于便携式电子产品和工业自动化设备中的内存扩展模块。

IS42S16160B-6T、MT48LC16M16A2B4-6A、CY7C1370B-SI、A3V16S40ETP