容量：256Mb
　　组织结构：16M x 16
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　最大时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　刷新周期：64ms
　　

HY57V281620HCLT-KI 具备低功耗与高性能的特性，适合多种应用环境。该 SDRAM 芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不频繁访问时有效降低功耗，适用于对功耗敏感的设计。其高速时钟频率可达 166MHz，提供快速的数据存取能力，有助于提升系统整体性能。此外，该芯片采用 54 引脚 TSOP 封装，具备良好的热性能和空间适应性，便于在高密度 PCB 设计中布局。
　　这款 SDRAM 芯片的 16M x 16 组织结构允许同时处理 16 位数据，适用于需要并行数据处理的应用。其工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，具有较强的电源适应能力，可在多种电源管理方案中稳定运行。内置的刷新控制机制确保了数据在断电前保持完整，减少了外部控制器的负担。此外，该芯片支持工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于严苛环境下的稳定运行。

HY57V281620HCLT-KI 常用于嵌入式控制系统、工业自动化设备、网络通信模块、视频监控设备、手持设备以及家用电器等需要中等容量高速存储的场景。由于其高性能和低功耗的特性，该芯片在工业控制、数据采集系统、网络路由器、打印机、数码相机等产品中得到了广泛应用。此外，它也适合用于需要临时存储大量数据或进行高速缓存处理的场合。

IS42S16256B-6T、MT48LC16M2A2B4-6A、CY7C1380D-5A、IDT71V416S10PFG