HY57V281620HCLT-6I 是由现代电子(Hynix,现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于高速CMOS型DRAM,广泛应用于需要高速数据处理的电子设备中。其主要设计用于提供大容量存储,同时保持较低的功耗。这款芯片的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),适用于各种嵌入式系统和工业控制设备。
容量:16Mbit
组织方式:1M x 16
电压:2.3V - 3.6V
访问时间:5.4ns
工作温度:-40°C ~ +85°C
封装:TSOP-II
引脚数:54
时钟频率:166MHz
数据宽度:16位
刷新周期:64ms
HY57V281620HCLT-6I 具备高速存取能力,其访问时间仅为5.4ns,适用于需要快速数据处理的应用场景。该芯片支持低电压操作,可在2.3V至3.6V的电压范围内稳定工作,有效降低系统功耗。此外,其宽温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在各种恶劣环境下可靠运行,适用于工业级应用。芯片采用TSOP封装,有助于减小PCB空间,同时具备良好的散热性能。它还支持自动刷新和自刷新功能,能够在待机模式下自动保持数据完整性,进一步延长电池寿命。
该芯片支持同步和异步两种操作模式,使得其能够灵活地适应不同的系统设计需求。其16位数据宽度和166MHz时钟频率的设计,确保了数据传输的高效性。此外,HY57V281620HCLT-6I 还具备高可靠性和抗干扰能力,适用于对稳定性要求较高的工业控制系统和嵌入式设备。
HY57V281620HCLT-6I 主要应用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统,如工业控制设备、通信设备、图像处理设备、医疗设备、测试仪器以及便携式电子产品。由于其高速数据存取能力和宽温度范围,特别适合在工业自动化、网络交换设备、智能卡终端和汽车电子系统中使用。此外,该芯片也常用于需要大量数据缓存的场景,例如视频采集和处理系统、数据采集模块以及高性能单片机系统。
IS61LV25616-10T, CY7C1041CV33-10ZSXC, IDT71V416S10PFGI, ISSI IS61LV25616-10B4BLI