IXGQ120N30TCD1是一款由英飞凌(Infineon)推出的高性能功率MOSFET,主要用于高功率密度和高效率的应用。该器件基于先进的沟槽栅极技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和快速的开关特性,适合用于电源转换器、DC-DC变换器、电机控制以及工业自动化等场景。IXGQ120N30TCD1采用TO-247封装,具有良好的热管理和高可靠性。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):300V
最大漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):最大12.5mΩ
栅极电荷(Qg):典型值为140nC
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-247
IXGQ120N30TCD1采用了英飞凌的OptiMOS?技术,提供超低导通电阻(Rds(on)),从而降低了导通损耗,提高了系统效率。
该器件具有优异的热性能,TO-247封装能够有效散热,确保在高功率应用中稳定运行。
此外,IXGQ120N30TCD1具备快速开关能力,减少开关损耗,适用于高频开关电源和电机控制应用。
其高雪崩耐量和抗短路能力增强了器件在严苛工作环境下的可靠性,适用于工业自动化、服务器电源和电动汽车充电系统等高要求场景。
该MOSFET还具有良好的栅极氧化层稳定性,确保长期运行的可靠性,并支持并联使用以实现更高功率输出。
IXGQ120N30TCD1广泛应用于高功率密度电源系统,如服务器电源、通信电源、工业电源、DC-DC转换器、UPS(不间断电源)、电机驱动以及电动汽车充电设备等。
其高效能和高可靠性也使其适用于光伏逆变器、储能系统和高功率LED照明驱动电路。
此外,该器件适用于需要高效率和高稳定性的汽车电子系统,如车载充电器和电动助力转向系统。
IPW60R017C7, STP120N3LLH5AG, SiC MOSFET替代型号如C3M0016120D