您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXGQ120N30TCD1

IXGQ120N30TCD1 发布时间 时间:2025/8/6 3:57:16 查看 阅读:25

IXGQ120N30TCD1是一款由英飞凌(Infineon)推出的高性能功率MOSFET,主要用于高功率密度和高效率的应用。该器件基于先进的沟槽栅极技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和快速的开关特性,适合用于电源转换器、DC-DC变换器、电机控制以及工业自动化等场景。IXGQ120N30TCD1采用TO-247封装,具有良好的热管理和高可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):300V
  最大漏极电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):最大12.5mΩ
  栅极电荷(Qg):典型值为140nC
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-247

特性

IXGQ120N30TCD1采用了英飞凌的OptiMOS?技术,提供超低导通电阻(Rds(on)),从而降低了导通损耗,提高了系统效率。
  该器件具有优异的热性能,TO-247封装能够有效散热,确保在高功率应用中稳定运行。
  此外,IXGQ120N30TCD1具备快速开关能力,减少开关损耗,适用于高频开关电源和电机控制应用。
  其高雪崩耐量和抗短路能力增强了器件在严苛工作环境下的可靠性,适用于工业自动化、服务器电源和电动汽车充电系统等高要求场景。
  该MOSFET还具有良好的栅极氧化层稳定性,确保长期运行的可靠性,并支持并联使用以实现更高功率输出。

应用

IXGQ120N30TCD1广泛应用于高功率密度电源系统,如服务器电源、通信电源、工业电源、DC-DC转换器、UPS(不间断电源)、电机驱动以及电动汽车充电设备等。
  其高效能和高可靠性也使其适用于光伏逆变器、储能系统和高功率LED照明驱动电路。
  此外,该器件适用于需要高效率和高稳定性的汽车电子系统,如车载充电器和电动助力转向系统。

替代型号

IPW60R017C7, STP120N3LLH5AG, SiC MOSFET替代型号如C3M0016120D

IXGQ120N30TCD1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXGQ120N30TCD1参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)300V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)-
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)120A
  • 功率 - 最大-
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件