时间：2025/8/6 3:57:16
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IXGQ120N30TCD1是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能功率MOSFET，主要用于高功率密度和高效率的应用。该器件基于先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，适合用于电源转换器、DC-DC变换器、电机控制以及工业自动化等场景。IXGQ120N30TCD1采用TO-247封装，具有良好的热管理和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：300V
最大漏极电流（Id）：120A
导通电阻（Rds(on)）：最大12.5mΩ
栅极电荷（Qg）：典型值为140nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
IXGQ120N30TCD1采用了英飞凌的OptiMOS?技术，提供超低导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。
该器件具有优异的热性能，TO-247封装能够有效散热，确保在高功率应用中稳定运行。
此外，IXGQ120N30TCD1具备快速开关能力，减少开关损耗，适用于高频开关电源和电机控制应用。
其高雪崩耐量和抗短路能力增强了器件在严苛工作环境下的可靠性，适用于工业自动化、服务器电源和电动汽车充电系统等高要求场景。
该MOSFET还具有良好的栅极氧化层稳定性，确保长期运行的可靠性，并支持并联使用以实现更高功率输出。
IXGQ120N30TCD1广泛应用于高功率密度电源系统，如服务器电源、通信电源、工业电源、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动以及电动汽车充电设备等。
其高效能和高可靠性也使其适用于光伏逆变器、储能系统和高功率LED照明驱动电路。
此外，该器件适用于需要高效率和高稳定性的汽车电子系统，如车载充电器和电动助力转向系统。
IPW60R017C7, STP120N3LLH5AG, SiC MOSFET替代型号如C3M0016120D
