时间：2025/9/2 0:29:36
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HY57V281620ETP-5是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于16M x 16位规格的DRAM集成电路。该芯片广泛应用于需要高速数据处理和存储的电子设备中，例如嵌入式系统、工业控制设备、通信模块以及老式计算机外设等。该封装为TSOP（薄型小外形封装），适用于对空间有要求的电路板设计。该芯片的后缀“TP-5”表示其工作温度范围和访问时间，适用于工业级温度范围。
容量：256Mb
组织结构：16M x 16位
电源电压：3.3V
访问时间：5.4ns（-5型号）
最大工作频率：166MHz
封装类型：TSOP
引脚数：54pin
工作温度范围：-40°C至+85°C
刷新周期：64ms
数据保持电压：2.3V（在掉电模式下）
HY57V281620ETP-5具有高速存取能力，访问时间仅为5.4ns，使其能够在高频环境下稳定运行。该DRAM芯片支持多种操作模式，包括快速页面模式、静态列模式和突发模式，从而提高数据传输效率。
此外，该芯片具备标准的DRAM功能，如自动刷新和自刷新模式，能够有效降低功耗，特别适用于对能耗敏感的设备。其TSOP封装形式有助于提高PCB布局的紧凑性，适合用于空间受限的应用场景。
在可靠性方面，HY57V281620ETP-5符合工业级温度标准，可在-40°C至+85°C的温度范围内稳定工作，适用于恶劣环境下的工业控制和通信系统。
该芯片还支持低功耗待机模式，能够在系统空闲时显著减少能耗，延长设备续航时间。
HY57V281620ETP-5主要应用于需要中等容量高速存储的系统中，如老式PC主板、嵌入式工控主板、视频采集卡、工业自动化控制设备、网络通信模块以及部分消费类电子产品。由于其高速性和稳定性，它也常用于图形显示缓存、数据缓冲器和实时操作系统中的临时数据存储。
IS42S16256B-5T，CY7C1041CV33-55B，A69F281620CNG
