HY57V281620ELTP-H是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的同步动态随机存取存储器(SDRAM)芯片。该芯片具有较高的存储密度和稳定的性能,广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备和嵌入式系统中。HY57V281620ELTP-H采用CMOS工艺制造,支持同步操作,具有低功耗、高速数据传输等优点。
容量:16M x 16位
电压:3.3V
封装:TSOP
速度等级:-6A(对应时钟频率166MHz)
数据宽度:16位
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
刷新周期:64ms
行列地址线:A0-A12(行地址),A0-A8(列地址)
封装引脚数:54
HY57V281620ELTP-H是一款高性能的同步动态随机存取存储器(SDRAM),其核心特性包括高存储密度(16M x 16位)、高速同步操作支持和低功耗设计。该芯片的工作电压为3.3V,适用于多种低功耗应用场景,如嵌入式系统、便携式设备和通信模块。
该芯片支持同步操作,其内部时钟频率可达166MHz(对应-6A速度等级),能够实现高速数据读写。此外,HY57V281620ELTP-H采用CMOS工艺制造,具有较高的稳定性和可靠性,适合在工业级温度范围内(-40°C至+85°C)运行,适用于各种严苛环境下的应用。
封装方面,该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)形式,54引脚设计使其在PCB布局时占用空间较小,并且便于自动化生产和安装。HY57V281620ELTP-H还支持自动刷新和自刷新模式,可有效延长数据保持时间并降低功耗,进一步提升了系统的稳定性和能效。
该芯片内部集成多个存储银行(banks),支持突发模式访问,可提高数据传输效率。通过使用同步控制方式,该芯片能够与系统主控芯片(如FPGA、DSP、嵌入式处理器等)实现高效的数据交互,满足对内存带宽有较高要求的应用场景。
HY57V281620ELTP-H广泛应用于需要中等容量高速存储的电子系统中。典型应用包括嵌入式控制系统、网络通信设备(如路由器、交换机)、视频采集与处理设备、工业自动化设备、测试测量仪器以及消费类电子产品(如智能电视、机顶盒等)。由于其具备较高的稳定性和宽温工作范围,该芯片也常用于工业现场控制、车载电子系统等对可靠性要求较高的场景。此外,HY57V281620ELTP-H还可作为缓存或主存储器,用于图像处理、音频解码、数据缓冲等需要快速访问的应用中。
IS42S16100E-6BLI, MT48LC16M16A2B4-6A, CY7C1370BV33-6BZXC, K4S641632K-TC10