时间：2025/9/1 21:44:16
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HY57V281620AT-10是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于异步DRAM的一种。该芯片采用16M x 16的组织结构，总容量为256Mb（兆位），适用于需要较高数据吞吐量和快速存取速度的应用场景。其封装形式通常为TSOP（薄型小外形封装），适用于各种嵌入式系统、工业控制设备以及网络设备。
容量：256Mb
组织结构：16M x 16
工作电压：3.3V
访问时间：10ns（最大）
封装类型：TSOP
引脚数量：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据输入/输出方式：异步
刷新方式：自动刷新/自刷新
最大工作频率：100MHz（基于访问时间）
HY57V281620AT-10具有高性能和低功耗的特点，适用于多种电子设备。其10ns的访问时间保证了快速的数据读写能力，适用于图像处理、缓存存储以及高速数据缓冲等应用需求。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较高的集成度和较低的功耗。支持自动刷新和自刷新模式，有助于延长数据保持时间并降低功耗。其TSOP封装设计便于在PCB上安装和布局，同时具有良好的散热性能和稳定性。此外，该芯片具有较强的抗干扰能力，可在复杂电磁环境中稳定工作。
HY57V281620AT-10的异步控制接口使其能够与多种主控芯片兼容，简化了系统设计。该芯片的地址和数据线独立控制，提供了灵活的寻址方式。其低待机电流特性也使其适用于对功耗敏感的应用场景。
该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、网络路由器、视频采集与处理设备、打印机、扫描仪以及医疗设备等需要高速存储支持的场合。特别适用于需要大容量缓存和快速数据存取的场景，如图像缓冲、视频帧缓存、数据缓冲存储器等。
IS42S16256A-10BLI4A，MT48LC16M2A2B4-10A
