时间：2025/9/2 7:27:38
阅读：6
HY51VS65173HGLT-5 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款高性能、低功耗的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该型号属于高速CMOS DRAM系列，适用于需要高数据吞吐量和快速存取的应用场景。该芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，适合嵌入式系统、工业控制设备以及通信设备等应用。
容量：64Mbit
组织结构：1M x 64
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP-II
引脚数：54
时钟频率：166MHz
数据输入/输出方式：公共数据输入/输出
HY51VS65173HGLT-5 芯片具有高速存取能力和低功耗设计，适用于对性能和能效都有较高要求的应用。其高速CMOS技术确保了快速的数据访问和较低的功耗，使其适用于嵌入式系统和工业控制等场景。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，有助于维持数据完整性并降低系统功耗。
其TSOP封装结构使其在空间受限的电路板上具有良好的适应性，并提供了良好的散热性能。此外，该芯片支持低功耗待机模式，可以在不使用时显著降低功耗。其高速同步操作模式确保了与主控系统的良好兼容性，适用于高速缓存和主存扩展等应用。
这款DRAM芯片的166MHz时钟频率和5.4ns访问时间使其能够满足高性能系统的严格要求。同时，其宽电压范围（2.3V至3.6V）提供了更高的系统设计灵活性，并允许在多种电源条件下稳定运行。
HY51VS65173HGLT-5 主要应用于嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信模块、网络设备、图形处理器和消费类电子产品中的高速内存扩展。由于其高速性和低功耗特性，它特别适合用于需要快速数据处理和稳定运行的系统，如数据采集设备、视频处理模块、网络路由器和智能卡系统等。此外，该芯片也可用于需要长时间运行的工业设备，如PLC（可编程逻辑控制器）和工业计算机，以提供稳定可靠的内存支持。
[
"HY51VS65163HGLT-5",
"MT48LC16M64A2B4-5A",
"IS61LV6416-10T"
]
