时间：2025/9/2 14:55:27
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HY51V65173HGLT-6 是由Hynix（现代半导体）生产的一款高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于DRAM的EDO（Extended Data Out）类型，具有高速访问时间和低功耗特性，适用于需要快速数据存取的电子设备。该型号的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适合嵌入到各种紧凑型电子系统中。
芯片类型：DRAM
内存类型：EDO
容量：64Mbit
组织结构：x16
工作电压：3.3V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
最大工作频率：约166MHz
HY51V65173HGLT-6 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，适用于需要快速数据访问的应用场景。其EDO（Extended Data Out）技术使得在数据读取过程中，输出数据可以保持到下一个地址周期开始，从而减少了地址切换带来的延迟，提高了系统性能。该芯片的工作电压为3.3V，具有较低的功耗，适合用于便携式设备和对功耗敏感的应用场景。
此外，该芯片的高速访问时间（5.4ns）和高达166MHz的工作频率，使其能够满足高速数据处理的需求。其TSOP封装形式具有较小的体积和良好的散热性能，适合在空间受限的环境中使用。该芯片还支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），可在各种恶劣环境下稳定运行。
由于其高可靠性和稳定性，HY51V65173HGLT-6 被广泛应用于通信设备、工控设备、嵌入式系统等领域。
HY51V65173HGLT-6 广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的电子设备中，例如：
- 通信设备：如路由器、交换机、基站等设备中的数据缓存模块
- 工业控制设备：如PLC控制器、工业计算机等设备中的主存或缓存
- 嵌入式系统：如智能卡终端、医疗设备、测试仪器等设备中的临时数据存储
- 消费类电子产品：如高端打印机、扫描仪、数码相机等设备中的图像处理缓存
HY57V641620HGT-6A，K4S641632H-6A，IS61LV25616-10T
