时间：2025/5/19 14:18:09
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MJD32CT4G是一种大功率双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），广泛应用于开关和放大电路中。该晶体管属于NPN型，采用TO-220封装形式，具有较高的电流承载能力和耐压能力，适合于驱动负载、电源管理等场景。
这种晶体管通常被用作功率放大器中的关键元件或在需要高电流输出的电路中作为开关器件。其封装设计便于散热，并且易于安装在PCB板上或与散热片配合使用。
集电极-发射极电压：80V
集电极电流：15A
功耗：115W
直流电流增益（hFE）：10~70
过渡频率：1.5MHz
存储温度范围：-55℃~150℃
工作结温：-55℃~150℃
MJD32CT4G的主要特性包括：
1. 高电流处理能力，能够承受高达15A的集电极电流。
2. 耐高压性能，最高可支持80V的集电极-发射极电压。
3. 较宽的工作温度范围，使其能够在极端环境条件下稳定运行。
4. TO-220封装提供良好的热传导性能，适合高功率应用场景。
5. 直流电流增益（hFE）范围为10到70，适用于多种放大和开关应用。
6. 具有较低的饱和电压，有助于提高效率并减少能耗。
MJD32CT4G晶体管适用于以下领域：
1. 开关电源及稳压电路中的功率开关。
2. 电机控制和驱动电路，例如步进电机和直流电机。
3. 继电器驱动和电磁阀控制。
4. 音频功率放大器的输出级。
5. LED驱动和照明系统中的电流调节。
6. 各种工业控制设备和消费类电子产品的功率管理部分。
MJE32CT4G, MJL32CT4G
