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HY51V65164ATC-50 发布时间 时间:2025/9/1 14:15:19 查看 阅读:9

HY51V65164ATC-50 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于高速、低功耗的DRAM器件,广泛用于需要快速数据访问的电子系统中,如计算机主板、嵌入式系统、网络设备和通信设备等。HY51V65164ATC-50采用4M x 16的组织结构,提供512K地址空间,适用于需要高速存储器访问的场合。

参数

类型:DRAM
  容量:4Mbit
  组织结构:x16
  工作电压:3.3V
  访问时间:5ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  时钟频率:最大166MHz
  数据输入/输出:16位并行接口
  刷新周期:64ms

特性

HY51V65164ATC-50 是一款高性能的DRAM芯片,具有高速存取能力和低功耗设计。其5ns的访问时间使得它适用于高速缓存、图形存储器以及高性能嵌入式系统。该芯片支持标准的同步模式,并提供16位并行数据接口,以满足高速数据传输的需求。其TSOP封装形式不仅减小了PCB布局空间,还提高了封装的可靠性。
  此外,HY51V65164ATC-50具备自刷新和待机模式功能,可在低功耗状态下维持数据完整性,从而延长系统电池寿命。该器件的64ms刷新周期确保了数据在不频繁刷新的情况下仍能保持稳定,适合用于对内存稳定性要求较高的工业和通信设备。

应用

HY51V65164ATC-50 常见于需要高速存储器访问的嵌入式系统、工业控制设备、网络交换机和路由器、图形加速卡以及视频处理设备中。由于其高速和低功耗特性,也适用于便携式电子产品和需要高性能缓存的计算平台。

替代型号

IS42S16400F-5T, KM416S1630CT-5

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