容量：256K x 16位
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：60ns
　　封装形式：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据宽度：16位
　　封装引脚数：54
　　组织结构：256K地址 x 16位数据
　　最大工作频率：无时钟，异步工作
　　输入/输出电平：LVTTL兼容

HY51V18164BTC-60(A) 是一款高性能异步SRAM，具有快速访问时间和低功耗特性。其60ns的访问时间使得它适用于需要快速数据响应的应用场景。该芯片采用LVTTL接口电平，能够与多种控制器和外围设备兼容。TSOP封装形式不仅节省空间，而且适用于表面贴装工艺，提高生产效率和可靠性。此外，该器件支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适合在恶劣环境中使用。
　　该SRAM无需刷新操作，数据在供电状态下保持不变，适用于缓存、临时数据存储和关键系统内存应用。其16位的数据宽度提高了数据吞吐能力，适用于需要高带宽数据传输的系统，如网络路由器、工业自动化设备和嵌入式系统。此外，该器件的低待机电流设计有助于降低功耗，提高系统的能效比，适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。

HY51V18164BTC-60(A) 主要应用于需要高速、非刷新型存储器的场合。例如，在嵌入式系统中作为程序存储器或高速缓存；在工业控制系统中用于临时数据存储和缓冲；在网络设备中用于路由表缓存或数据包缓冲；在通信设备中作为临时数据存储单元。此外，该芯片也可用于图像处理设备、测试仪器和自动化测试设备等对存取速度有较高要求的系统中，提供稳定可靠的数据存储支持。
　　由于其异步接口设计，HY51V18164BTC-60(A) 可以方便地与多种处理器和控制器连接，适用于各种需要高速数据存取的场合。其工业级温度范围也使其适用于户外设备、车载系统和工业自动化控制等环境条件较为严苛的应用场景。

IS61LV25616-60BLL、CY62148EVLL-60ZS、IDT71V124SA60SG、A621648LL-60