时间：2025/9/1 14:03:37
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H5TC8G63CMR-PBA 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）系列。这款芯片采用先进的堆叠式封装技术，具有高容量和高数据传输速率的特点，适用于高性能计算、图形处理以及人工智能等需要大量数据吞吐的应用场景。其容量为8GB，工作频率可达每秒2500百万次传输（MT/s），并采用低电压设计以提高能效。
容量：8Gbit
封装类型：FBGA
工作电压：1.8V
接口类型：HBM
最大工作频率：2500MT/s
数据宽度：1024位
封装尺寸：12mm x 12mm
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
H5TC8G63CMR-PBA 是一款高性能的HBM DRAM芯片，采用了先进的3D堆叠封装技术，使其在有限的空间内实现更高的存储密度和更高的带宽。该芯片具有1024位的数据宽度，远高于传统GDDR或DDR内存，显著提升了数据传输效率。其工作频率高达2500MT/s，支持高带宽需求的应用，如高端图形处理、AI计算、数据中心加速等。此外，该芯片采用低功耗设计，在1.8V电压下运行，有助于降低整体功耗并提高系统能效。其封装尺寸为12mm x 12mm，适合高密度PCB布局。芯片还支持自刷新模式（Self-Refresh Mode）和深度掉电模式（Deep Power-Down Mode），以进一步优化功耗管理。
H5TC8G63CMR-PBA 主要用于需要高带宽和高存储密度的先进计算平台。典型应用包括高端显卡、AI加速卡（如用于深度学习和推理任务）、高性能计算（HPC）系统、图形工作站、游戏主机、数据中心加速器以及支持异构计算的嵌入式系统。由于其卓越的数据吞吐能力，该芯片非常适合用于需要实时处理大规模数据集的应用场景。
H5TC8G63AMR-PBA, H5TC4G63AMR-PBC, H5TC8G63CMR-PLA
