时间：2025/7/4 23:47:10
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EMK316AB7475MLHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能，适用于工业电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及各类高效能功率转换系统。
该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，能够承受较高的漏源极电压，并且具有良好的电气特性和可靠性，使其在多种应用领域中表现出色。
最大漏源极电压：750V
连续漏极电流：16A
导通电阻（典型值）：0.12Ω
栅极电荷：80nC
输入电容：1200pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
1. 高击穿电压设计，支持高达 750V 的漏源极电压，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少功率损耗并提升整体效率。
3. 快速开关能力，优化了动态性能，适合高频应用。
4. 具备出色的热稳定性，能够在高温条件下持续工作，扩展了其适用范围。
5. 内置保护机制，包括过流保护和短路耐受能力，提高了系统的安全性和可靠性。
6. 封装形式为 TO-247，便于散热管理及安装使用。
1. 工业电源模块中的开关元件。
2. 大功率 DC-DC 转换器的核心组件。
3. 各类电机驱动电路中的功率级控制元件。
4. 不间断电源 (UPS) 系统中的关键功率处理单元。
5. 新能源领域的逆变器和充电设备中的功率开关。
6. 高压负载切换及保护电路中的核心器件。
IRFP260N
FDP17N75
STP17NF75
