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EMK316AB7475MLHT 发布时间 时间:2025/7/4 23:47:10 查看 阅读:19

EMK316AB7475MLHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高电压和高电流的应用场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优秀的热性能,适用于工业电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及各类高效能功率转换系统。
  该型号属于增强型 N 沟道 MOSFET,能够承受较高的漏源极电压,并且具有良好的电气特性和可靠性,使其在多种应用领域中表现出色。

参数

最大漏源极电压:750V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(典型值):0.12Ω
  栅极电荷:80nC
  输入电容:1200pF
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

1. 高击穿电压设计,支持高达 750V 的漏源极电压,确保在高压环境下的稳定运行。
  2. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效减少功率损耗并提升整体效率。
  3. 快速开关能力,优化了动态性能,适合高频应用。
  4. 具备出色的热稳定性,能够在高温条件下持续工作,扩展了其适用范围。
  5. 内置保护机制,包括过流保护和短路耐受能力,提高了系统的安全性和可靠性。
  6. 封装形式为 TO-247,便于散热管理及安装使用。

应用

1. 工业电源模块中的开关元件。
  2. 大功率 DC-DC 转换器的核心组件。
  3. 各类电机驱动电路中的功率级控制元件。
  4. 不间断电源 (UPS) 系统中的关键功率处理单元。
  5. 新能源领域的逆变器和充电设备中的功率开关。
  6. 高压负载切换及保护电路中的核心器件。

替代型号

IRFP260N
  FDP17N75
  STP17NF75

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EMK316AB7475MLHT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,000 : ¥0.65182卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容4.7 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定16V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.071"(1.80mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-