容量：256K x 4位
　　组织结构：1024行x 256列x 4位
　　工作电压：5V ± 10%
　　最大存取时间：10ns（-10后缀）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：50-pin
　　工作温度范围：工业级（通常为-40°C至+85°C）
　　刷新方式：自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）
　　数据输出类型：三态输出

HY51C4256S-10 是一款高性能DRAM芯片，采用了CMOS技术以实现低功耗与高速操作的结合。该芯片支持自动刷新和自刷新两种刷新模式，其中自动刷新需要外部控制器发出刷新命令，而自刷新模式则可以在不依赖外部控制的情况下维持数据完整性，从而在低功耗模式下保持数据不丢失。此外，其三态输出设计允许在多设备共享总线时避免信号冲突，提高了系统的灵活性。
　　该芯片的最大存取时间为10ns，意味着其读取速度非常快，适用于需要快速响应的应用场景。其TSOP封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能和电气性能，适合高密度PCB布局。此外，HY51C4256S-10 在设计上具有较高的兼容性，能够适配多种不同的控制器和系统架构。

HY51C4256S-10 主要应用于早期的计算机系统、嵌入式控制系统、工业自动化设备、通信模块以及消费类电子产品中。例如，在老式PC的显卡、网络接口卡（NIC）、打印机控制板等外设中常见该型号DRAM芯片的使用。此外，它也常用于需要临时存储大量数据的测试设备和数据采集系统中。

HY51C4256S-10S，HY51C4256S-10T，CY7C1021B-10Z，IS61C256AH-10BLL