HY51C1000LS-10 是一种由Hynix(现为SK Hynix)制造的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为1 Mbit,组织形式为128K x 8。该芯片适用于需要高速数据访问的应用场景,具有较高的稳定性和可靠性。其封装形式通常为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于嵌入式系统、工业控制设备以及其他需要高速缓存或临时数据存储的电子设备。
容量:1 Mbit
组织结构:128K x 8
访问时间:10 ns
电源电压:3.3V
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
接口类型:并行接口
数据保持电压:2V
最大工作电流:180 mA
HY51C1000LS-10 是一款高速SRAM芯片,具有10 ns的访问时间,能够满足对数据存取速度要求较高的应用场景。该芯片支持3.3V电源供电,并且具备低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,适合电池供电或对功耗敏感的应用。
该器件采用CMOS工艺制造,具有高抗干扰能力,并且能够在较宽的温度范围内稳定工作,适用于工业控制、通信设备、网络设备以及汽车电子等严苛环境下的应用。此外,其并行接口设计允许直接连接到微处理器或其他主控设备,简化了系统设计并提高了数据传输效率。
HY51C1000LS-10 提供了数据保持功能,在电源电压降至2V以下时仍能保持存储数据不丢失,这对于需要在断电情况下保存关键数据的系统尤为重要。其TSOP封装形式不仅节省空间,还具有良好的热稳定性和机械可靠性,适合高密度PCB布局。
该芯片广泛应用于需要快速数据存取的嵌入式系统中,如工业控制设备、数据采集系统、网络路由器、通信模块、测试测量仪器等。此外,它也适用于需要临时数据缓存或固件存储的消费电子产品,如打印机、扫描仪、智能家电等。在汽车电子系统中,HY51C1000LS-10 可用于仪表盘控制器、车载娱乐系统或车载诊断系统(OBD)等场景,以提供高速数据存储支持。
CY7C1009B-10ZSXC
IS61LV1024-10B4BLI
IDT71V128SA10PFG