时间：2025/9/1 16:59:38
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HY514264BSLJC-50是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的高速动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于EDO（Extended Data Out）类型。该芯片采用256K x 16的组织结构，总容量为4MB（兆字节），工作电压为3.3V，适用于需要高速数据存取的计算机和嵌入式系统。HY514264BSLJC-50的封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），具有较低的功耗和较高的稳定性能，适用于工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）。该芯片广泛用于早期的PC内存、图形卡、网络设备及其他需要高速缓存的应用场景。
容量：4MB (256K x 16)
电压：3.3V
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
访问时间：5.4ns
数据保持时间：16ms
输入/输出电平：TTL兼容
封装引脚数：54
时钟频率：166MHz
数据宽度：16位
HY514264BSLJC-50作为一款EDO DRAM芯片，具备出色的高速数据访问能力。EDO技术允许在读取下一个数据之前保持前一个数据的输出状态，从而提高了数据传输效率，减少了等待时间。这种特性使得该芯片在没有同步时钟控制的系统中仍然能够实现较高的性能。
该芯片的工作电压为3.3V，相比传统的5V DRAM芯片，功耗更低，发热量更少，有助于提升系统的稳定性与可靠性。此外，其TSOP封装形式不仅减小了芯片的体积，也提高了抗干扰能力，使其更适合用于高密度电路板设计。
Hynix HY514264BSLJC-50的访问时间仅为5.4ns，这意味着其能够在高速系统中提供快速的数据响应能力。数据保持时间为16ms，符合标准DRAM的刷新周期要求，确保了数据的完整性。其16位的数据宽度适用于需要大量数据吞吐量的应用，例如图像处理、视频缓存和高性能计算系统。
该芯片还具备工业级温度适应能力，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，因此不仅适用于标准PC环境，也适合工业控制、嵌入式系统等恶劣环境。
HY514264BSLJC-50广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的各类电子设备中。例如，在早期的PC主板和图形加速卡中，该芯片常被用作显存或系统内存，以提高图形渲染和数据处理的速度。此外，它也常见于网络设备，如路由器和交换机，用于缓存临时数据包和提高转发效率。
在嵌入式系统中，HY514264BSLJC-50可作为主控芯片的外部存储器，用于运行操作系统、应用程序或缓存大量实时数据。工业控制设备，如PLC（可编程逻辑控制器）和HMI（人机界面），也常常使用该芯片来提升系统响应速度和多任务处理能力。
由于其宽温特性和低功耗设计，该芯片也非常适合用于车载电子系统、安防监控设备以及便携式测量仪器等对稳定性和可靠性要求较高的应用场景。
HY514264BSLJC-50的替代型号包括HY514264BSLJ-50和TC51V4264BJC-66。
