H5TQ2G83FFR-RDI 时间：2025/9/2 3:58:56 阅读：14

H5TQ2G83FFR-RDI 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于高密度、高性能的DRAM存储器，适用于需要高速数据访问和较大内存容量的应用场景。其封装形式为FBGA，容量为2Gb，工作频率较高，适合在工业、消费电子及通信设备中使用。H5TQ2G83FFR-RDI 采用先进的制造工艺，具备良好的稳定性和可靠性。

参数

容量：2Gb
　　类型：DRAM
　　封装：FBGA
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据速率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　刷新周期：64ms
　　引脚数量：54

特性

H5TQ2G83FFR-RDI 是一款高性能DRAM芯片，具有较高的存储密度和快速的数据访问能力。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具备低功耗和高稳定性的特点，适合在对功耗敏感的系统中使用。其FBGA封装形式提供了良好的散热性能和空间节省，适用于紧凑型电子设备的设计。
　　这款DRAM芯片支持标准的DRAM控制信号，兼容多种处理器和控制器，方便系统集成。其64ms的刷新周期确保了数据在断电前能够可靠地保存，适用于需要长时间运行的工业控制系统和嵌入式设备。
　　此外，H5TQ2G83FFR-RDI 的工作温度范围为-40°C至+85°C，具备良好的环境适应能力，可在严苛的工业环境中稳定运行。其54引脚的封装设计简化了PCB布线，并提高了信号完整性，降低了电磁干扰（EMI）的风险。

应用

H5TQ2G83FFR-RDI 主要应用于需要大容量内存和高速数据处理能力的电子设备中。典型的应用包括工业控制设备、通信模块、网络设备、消费类电子产品（如智能电视、机顶盒）、嵌入式系统以及汽车电子控制系统等。由于其高可靠性和宽温工作范围，该芯片也适用于需要长时间稳定运行的工业自动化设备和远程监控系统。