BUK7215-55A,118是一款由NXP Semiconductors生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高可靠性的开关应用而设计,广泛用于工业控制、电源转换、电机驱动等领域。该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术,提供优异的导通电阻和开关性能,同时具备良好的热稳定性和过载能力。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):55V
漏极电流(Id):80A(最大)
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(最大)
栅极电压(Vgs):±20V
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装类型:TO-220AB
功率耗散(Ptot):125W
BUK7215-55A,118的主要特性之一是其低导通电阻,仅为4.5mΩ,这使得该MOSFET在高电流应用中能够显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的电流处理能力,在持续漏极电流可达80A,适用于高功率负载的开关控制。该MOSFET采用先进的Trench沟槽技术,优化了电场分布,提升了器件的耐压能力和开关速度。
该MOSFET具有良好的热性能,TO-220AB封装能够有效散热,确保器件在高负载条件下稳定运行。其宽泛的工作温度范围(-55°C至+175°C)使其适用于各种严苛环境下的应用。此外,该器件具备较高的抗雪崩能力,增强了系统的可靠性和稳定性。
BUK7215-55A,118的栅极驱动要求较低,可与常见的逻辑控制器(如微控制器或PWM控制器)直接配合使用,简化了驱动电路设计。其快速开关特性有助于降低开关损耗,提高整体系统效率,适用于高频开关应用。
BUK7215-55A,118广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器、工业自动化控制系统以及汽车电子系统。在电机驱动应用中,该MOSFET能够提供高效的功率开关,适用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的控制。在电源转换系统中,该器件可用于提高转换效率,降低能量损耗,提升整体性能。
此外,该MOSFET也适用于高功率LED照明驱动、逆变器以及太阳能逆变器等可再生能源系统。其优异的导通性能和热稳定性使其成为高频开关电源(SMPS)中的理想选择。在汽车电子领域,BUK7215-55A,118可用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)以及电池管理系统(BMS)等关键部件。
BUK7K52-55B
IPB08N06N G
IRF1405
STP80NF55