HY512264TC-60 时间：2025/9/2 5:56:51 阅读：18

HY512264TC-60是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的高速动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于EDO DRAM类型。该芯片设计用于需要高速数据存取的应用场景，具备较低的访问时间，以提高系统性能。HY512264TC-60采用标准的TSOP封装形式，适用于多种嵌入式系统、工业控制设备及老式计算机主板等应用环境。该DRAM芯片在工业和消费电子领域曾被广泛应用，尤其在需要中等存储容量和高性能的场合。

参数

容量：256K x 16
　　类型：EDO DRAM
　　电压：3.3V
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　访问时间：60ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）

特性

HY512264TC-60是一款采用EDO（扩展数据输出）技术的DRAM芯片，其主要特点是能够在不增加时钟频率的情况下提高数据传输效率。EDO技术通过允许下一个数据访问在前一个数据读取尚未完成时就开始，从而减少了存取延迟，提高了内存访问速度。此外，该芯片支持异步操作，无需与系统时钟同步，进一步增强了灵活性。
　　该芯片的工作电压为3.3V，相比传统的5V供电DRAM，功耗更低，发热更少，适用于对能耗和散热有一定要求的应用场景。其采用TSOP封装技术，有助于减小封装尺寸，提高封装密度，适合高密度PCB布局。
　　HY512264TC-60具有256K x 16的存储配置，总容量为4MB（由256千字节×16位组成），适用于需要较大缓存或临时存储的系统设计。其60ns的访问时间表明其响应速度较快，适用于多种中高速度应用场合。
　　此外，该芯片具有宽广的工作温度范围，通常为工业级标准（-40°C至+85°C），确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行。这种特性使其非常适合用于工业自动化、通信设备、网络设备及嵌入式系统等对可靠性要求较高的应用场景。

应用

HY512264TC-60广泛应用于需要高速数据缓冲和存储的电子设备中，如老式计算机主板、嵌入式系统、工业控制设备、视频采集卡、通信模块、网络路由器、交换机、以及某些工业自动化设备中的数据缓存单元。此外，该芯片也可用于音频/视频处理设备、医疗仪器、测试测量设备等对数据存储和访问速度有一定要求的场合。