时间：2025/9/1 21:57:21
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HY5118164C 是由Hynix（现代半导体）生产的一款动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款芯片属于早期的DRAM产品系列，通常用于需要中等存储容量和中等速度的电子设备中。HY5118164C采用16位数据总线宽度，支持快速页面模式（Fast Page Mode），在20世纪90年代广泛应用于个人计算机、工业控制系统、嵌入式设备以及通信设备中。由于其较为成熟的制造工艺和良好的稳定性，该芯片在当时成为许多系统设计中的首选存储器之一。
容量：256K x 16位
电压：5V
封装类型：TSOP
数据总线宽度：16位
访问时间：55ns/60ns/70ns（根据后缀不同）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）或商业级（0°C至70°C）
封装尺寸：54引脚TSOP
时钟频率：最大可达166MHz（具体取决于访问时间）
刷新周期：64ms
HY5118164C具有多项显著的性能特点。首先，其256K x 16位的存储结构使得每个芯片可以提供总计4MB的存储容量，适合用于需要中等存储容量的系统设计。该芯片采用CMOS制造工艺，具备较低的功耗特性，尤其在待机模式下能够显著减少电能消耗，从而提升系统的能效。此外，HY5118164C支持快速页面模式（Fast Page Mode）和静态列地址模式（Static Column Address Mode），这有助于提高数据访问速度并降低延迟。其54引脚TSOP封装不仅节省空间，还增强了高频工作的稳定性，适用于高密度电路板设计。
该芯片的工作电压为标准5V，确保了与大多数逻辑电路和控制器的兼容性。访问时间包括55ns、60ns和70ns等不同版本，设计人员可以根据系统性能需求选择合适的型号。HY5118164C还具备标准的DRAM刷新机制，确保数据在断电前保持稳定。其工业级温度范围支持-40°C至+85°C的工作环境，适用于多种严苛条件下的工业和嵌入式应用。此外，该芯片的高可靠性和广泛的兼容性使其成为当时众多主板、图形卡和嵌入式系统的理想选择。
HY5118164C 主要应用于需要中等容量存储的电子设备中。它在早期的个人计算机系统中被广泛使用，作为主内存或扩展内存模块（SIMM或DIMM）的一部分。此外，该芯片在嵌入式系统、工业控制设备、通信设备（如交换机和路由器）、图像处理模块以及视频游戏机中也有广泛应用。由于其良好的性能和稳定性，HY5118164C也常用于老旧设备的替换和维护中，特别是在需要保持原有系统架构不变的情况下。其低功耗特性也使其适用于一些便携式设备或对功耗敏感的应用场景。
IS42S16256A、MT48LC16M2A2B4-5A、CY7C1009BV、CY7C1010BV、KM681004
