时间：2025/9/1 22:59:00
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HY5118160CJC-60 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于快速页面模式（Fast Page Mode）DRAM，具有1M x 16位的存储容量，工作电压为5V，并采用TSOP（薄型小外形封装）封装形式。该芯片常用于需要较高存储密度和较快存取速度的嵌入式系统和工业控制设备。
容量：1M x 16位
组织结构：1M地址 x 16位数据宽度
工作电压：5V ± 10%
访问时间：60ns
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装尺寸：约18mm x 20mm
最大功耗：约1.5W
刷新周期：64ms
HY5118160CJC-60 是一款高性能的DRAM芯片，具备60ns的访问时间，适用于对响应速度有一定要求的应用场景。该芯片采用TSOP封装，具有良好的散热性能和较小的PCB占用空间，适合在高密度电路设计中使用。
其1M x 16位的组织结构使其能够提供2MB的总存储容量，适合用作图像缓冲、临时数据存储或系统内存扩展。工作电压为标准5V，确保了与多种电源管理方案的兼容性。
此外，该芯片支持标准的DRAM刷新机制，刷新周期为64ms，确保数据在断电前能够被有效保存。工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于各种恶劣环境下的稳定运行。
低功耗设计（最大1.5W）有助于降低系统整体功耗，延长设备运行时间，并减少散热需求。54引脚TSOP封装不仅提供了可靠的电气连接，还便于自动化生产和维修更换。
HY5118160CJC-60 常用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、医疗仪器以及消费类电子产品中的数据缓存和临时存储。由于其较高的存储密度和较快的访问速度，该芯片也适用于图像处理、图形缓存、网络设备缓冲存储等需要大量内存支持的应用场景。
HY5118160CJCT-60，HY5118160CJC-6A，MT48LC16M1A2B4-6A
